| TSXDMZ64DTK |
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價格: 元(人民幣) | 產地:TSXDMZ64DTK |
| 最少起訂量:1個 | 發貨地:TSXDMZ64DTK | |
| 上架時間:2021-05-17 16:12:57 | 瀏覽量:151 | |
廈門光沃自動化設備有限公司
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| 經營模式:經銷商 | 公司類型:其他有限責任公司 | |
| 所屬行業:PLC控制系統 | 主要客戶:全國市場 | |
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TSXDMZ64DTK 數據存儲器RAM的擴展主要用到以下3個控制信號:ALE:低8位地址鎖存控制信號,通常接地址鎖存器的LE引腳; WR:外部RAM寫信號,低電平有效,接數據存儲器的WE引腳; RD:外部RAM讀信號,低電平有效,接數據存儲器的OE引腳。 在執行片外RAM讀寫指令時,單片機自動進行的操作時序與讀ROM相似: (1)首先由PO口和P2口給出16位地址,然后ALE出現下降沿將P0口的低8位地址鎖存; (2)在讀數據時,RD出現低電平,WR出現高電平,使讀片外RAM有效,并根據鎖存器和P2口提供的地址取出數據并送P0口,由P0口讀入單片機。 (3)在寫數據時首先將數據加載到P0口,然后RD引腳出現高電平,WR引腳出現低電平,使寫片外RAM有效,并根據鎖存器和P2口提供的地址將P0口上的數據寫入片外RAM。 六、程序舉例 根據圖8-4編寫程序將數碼管顯示0-9共10個數字的字型碼存儲到6264中,然后從6264中循環讀出字型碼并送數碼管顯示。 #include 《reg51.h》#include 《absacc.h》unsigned char led[]={0xC0,0xF9,0xA4,0xB0,0x99,0x92,0x82,0xF8,0x80,0x90};//字型碼 int main(void){ unsigned char i; for(i=0;i《10;i++)//存儲10個數字字型碼 XBYTE[0x8000+i]=led[i]; while(1) { for(i=0;i《10;i++)//循環顯示10個數字 { P1=XBYTE[0x8000+i]; delay();//延時一段時間 } } }void delay()//延時函數{ int i,j; for(i=0;i《30000;i++) for(j=0;j《5;j++);} 對輸入/輸出口功能的擴展,可以利用簡單的TTL電路或MOS電路,也可以使用結構較為復雜的可編程接口芯片。 MCS-51單片機將I/O口與片外RAM統一編址,兩者合在一起使用同一個64KB的外擴展地址空間,因而,I/O口的輸入、輸出指令也就是片外數據存儲器的讀/寫指令。 簡單輸入擴展主要采用三態數據緩沖器實現,目的是使被選通的輸入設備能獨占數據總線向單片機輸入數據,而未被選通的設備與數據總線隔離。常用的三態數據緩沖器芯片有74LS244等。 簡單輸出擴展主要采用三態數據鎖存器實現,目的是使單片機能通過數據總線向被選通的設備輸出數據,而未被選通的設備與數據總線隔離。常用的三態數據鎖存器芯片有74LS273等。 8051單片機使用74LS373和74LS245展I/O口,分別連接發光二極管和撥碼開關,要求編寫控制程序,通過開關的撥動控制發光二極管的亮滅。 #include 《reg51.h》#include 《absacc.h》 #define PORT XBYTE[0xFFFF] //地址寫什么都可以int main(void){ unsigned char temp; while(1) { temp=PORT; //讀存儲單元操作,即通過74LS245獲取開關數據 PORT=temp; //寫存儲單元操作,即通過74LS373用開關數據控制發光二極管 }}
TSXDMZ64DTK IC695ALG616
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