| 6EC2380-0A |
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價(jià)格： 元(人民幣) | 產(chǎn)地：6EC2380-0A |
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廈門光沃自動(dòng)化設(shè)備有限公司
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6EC2380-0A 微控制器提供了1個(gè)用于調(diào)試目的的三態(tài)模式。它使能仿真探頭與目標(biāo)板連接，而不必先從目標(biāo)板焊下器件。在三態(tài)模式下，AT91R40008微控制器的所有輸出引腳驅(qū)動(dòng)器都是禁止的。在三態(tài)模式下，提供通過外部引腳對(duì)Flash的直接訪問。這就使得在裝配板子之前可以使用傳統(tǒng)的Flash編程器對(duì)Flash進(jìn)行編程。為了進(jìn)入三態(tài)模式，NTRI引腳必須在NRST上升沿之前的最后10個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)保持低電平。對(duì)于正常的操作，NTRI引腳必須通過1個(gè)高達(dá)400 kΩ的電阻復(fù)位為高電平。NTRI與I/O線P21和USART1串行數(shù)據(jù)傳輸線TXD1多路復(fù)用。◇ JTAG/ICE調(diào)試 JTAG/ICE端口 支持ARM標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式在線仿真。引腳TDI、TDO、TCK和TMS專門用于這種調(diào)試功能，并且可以通過外部ICE接口與一個(gè)主機(jī)相連。在ICE調(diào)試模式下，ARM7TDMI核以非JTAG芯片ID作為響應(yīng)來標(biāo)識(shí)微控制器。這一點(diǎn)不完全符合IEEE1149.1標(biāo)準(zhǔn)。 （8）存儲(chǔ)控制器 ARM7TDMI處理器的地址空間為4 GB。存儲(chǔ)控制器對(duì)內(nèi)部的32位地址總線進(jìn)行譯碼并定義了3種地址空間： ◇ 位于4 MB的內(nèi)部存儲(chǔ)器空間; ◇ 中間的地址空間為EBI控制的外部設(shè)備（存儲(chǔ)器或外圍）所保留; ◇ 位于4 MB的內(nèi)部外圍空間。 不論在哪一個(gè)地址空間，ARM7TDMI只運(yùn)行于小端模式。 ◇ 內(nèi)部存儲(chǔ)器 AT91FR40162微控制器集成了內(nèi)部SRAM。所有的內(nèi)部存儲(chǔ)器都是32位寬，并且支持字節(jié)（8位）、半字（16位）和字（32位）訪問，且這些訪問都是單周期的。內(nèi)部SRAM支持Thumb和ARM兩種取指方式，并且內(nèi)部存儲(chǔ)器可以存儲(chǔ)比ARM指令多1倍的Thumb指令。 AT91FR40162微控制器集成了1個(gè)256 KB的SRAM存儲(chǔ)體。這個(gè)存儲(chǔ)體映射到地址0x0（重映射命令后），并且允許通過軟件修改0x0到0x20之間的ARM7TDMI異常向量。把SRAM 放置在片內(nèi)并使用32位的數(shù)據(jù)總線帶寬增加了微控制器的性能，降低了系統(tǒng)功耗。32位總線與16位相比帶寬增加，從而提高了使用ARM指令集和數(shù)據(jù)處理的效率，這是對(duì)ARM7TDMI先進(jìn)性能的使用。能夠在256 KB的SRAM中動(dòng)態(tài)地更新應(yīng)用軟件是AT91FR40162的另一特性。 ◇ 引導(dǎo)模式選擇 ARM復(fù)位向量在地址0x0。NRST口線被釋放后，ARM7TDMI執(zhí)行存儲(chǔ)于這個(gè)地址的指令。這就意味著復(fù)位之后這個(gè)地址必須映射到非易失的存儲(chǔ)器中。NRST上升沿之前的10個(gè)時(shí)鐘周期期間BMS引腳上的輸入用來選擇引導(dǎo)存儲(chǔ)器的類型，如表1所列。如果嵌入的Flash存儲(chǔ)器用作引導(dǎo)存儲(chǔ)器，BMS輸入必須被外部拉低，并且NCS0必須在外部與NCS7連接。 表1 引導(dǎo)模式選擇 BMS 引導(dǎo)存儲(chǔ)器 1 NCS0上的外部8位存儲(chǔ)器 0 NCS0上的外部16位寄存器 引腳BMS與I/O線P24復(fù)用。復(fù)位以后，P24可以與任何標(biāo)準(zhǔn)的PIO線一樣被編程。
6EC2380-0A6ES7 221-1BH22-0XA8 EM221 16入 24VDC，開關(guān)量
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