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Siemens C71458-A6402-A1 DIGITIMES Research觀察,伴隨CPU、GPU、FPGA等高效能運算(HPC)芯片性能要求持續(xù)提升,覆晶封裝(Flip Chip;FC)、層疊封裝(Package on Package;PoP)等傳統(tǒng)封裝技術(shù)已不敷使用,使2.5D/3D封裝技術(shù)需求逐漸增加,吸引半導體制造業(yè)者積極布局,其中,IDM與晶圓代工業(yè)者2.5D技術(shù)發(fā)展相對委外半導體封測(OSAT)業(yè)者成熟、完整,也具有多年量產(chǎn)經(jīng)驗,3D封裝技術(shù)則將陸續(xù)開花結(jié)果。
HPC芯片所催生的2.5D/3D封裝商機吸引IC制造業(yè)者積極布局,其中,英特爾、三星電子(Samsung Electronic)與臺積電已具成熟的2.5D封裝經(jīng)驗;3D封裝部分,英特爾已量產(chǎn)Foveros技術(shù),三星與臺積電則將在2021~2022年陸續(xù)量產(chǎn)。日月光、安靠(Amkor)等OSAT業(yè)者雖布局2.5D/3D封裝,但技術(shù)方案仍不若IDM與晶圓代工業(yè)者完整,然逐漸強化中。 2.5D和3D封裝技術(shù)有何異同? 除了先進制程之外,先進封裝也成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù),像是2.5D、3D等技術(shù)在近年來成為半導體產(chǎn)業(yè)的熱門議題。究竟,先進封裝是如何在延續(xù)摩爾定律上扮演關(guān)鍵角色?而2.5D、3D等封裝技術(shù)又有何特點? 人工智能(AI)、車聯(lián)網(wǎng)、5G 等應用相繼興起,且皆須使用到高速運算、高速傳輸、低延遲、低耗能的先進功能芯片;然而,隨著運算需求呈倍數(shù)成長,究竟要如何延續(xù)摩爾定律,成為半導體產(chǎn)業(yè)的一大挑戰(zhàn)。 芯片微縮愈加困難,異構(gòu)整合由此而生 換言之,半導體先進制程紛紛邁入了7 納米、5 納米,接著開始朝3 納米和2 納米邁進,電晶體大小也因此不斷接近原子的物理體積限制,電子及物理的限制也讓先進制程的持續(xù)微縮與升級難度越來越高。 也因此,半導體產(chǎn)業(yè)除了持續(xù)發(fā)展先進制程之外,也「山不轉(zhuǎn)路轉(zhuǎn)」地開始找尋其他既能讓芯片維持小體積,同時又保有高效能的方式;而芯片的布局設計,遂成為延續(xù)摩爾定律的新解方,異構(gòu)整合(Heterogeneous Integration Design Architecture System,HIDAS)概念便應運而生,同時成為IC 芯片的創(chuàng)新動能。
▲異構(gòu)整合成為實現(xiàn)小體積、高效能芯片的另一種方式。(Source:SEMI) 所謂的異構(gòu)整合,廣義而言,就是將兩種不同的芯片,例如記憶體+邏輯芯片、光電+電子元件等,透過封裝、3D 堆疊等技術(shù)整合在一起。換句話說,將兩種不同制程、不同性質(zhì)的芯片整合在一起,都可稱為是異構(gòu)整合。 因為應用市場更加的多元,每項產(chǎn)品的成本、性能和目標族群都不同,因此所需的異構(gòu)整合技術(shù)也不盡相同,市場分眾化趨勢逐漸浮現(xiàn)。為此,IC 代工、制造及半導體設備業(yè)者紛紛投入異構(gòu)整合發(fā)展,2.5D、3D 封裝、Chiplets 等現(xiàn)今熱門的封裝技術(shù),便是基于異構(gòu)整合的想法,如雨后春筍般浮現(xiàn)。 2.5D 封裝有效降低芯片生產(chǎn)成本 過往要將芯片整合在一起,大多使用系統(tǒng)單封裝(System in a Package,SiP)技術(shù),像是PiP(Package in Package)封裝、PoP(Package on Package)封裝等。然而,隨著智能手機、AIoT 等應用,不僅需要更高的性能,還要保持小體積、低功耗,在這樣的情況下,必須想辦法將更多的芯片堆積起來使體積再縮小,因此,目前封裝技術(shù)除了原有的SiP 之外,也紛紛朝向立體封裝技術(shù)發(fā)展。 立體封裝概略來說,意即直接使用矽晶圓制作的「矽中介板」(Silicon interposer),而不使用以往塑膠制作的「導線載板」,將數(shù)個功能不同的芯片,直接封裝成一個具更高效能的芯片。換言之,就是朝著芯片疊高的方式,在矽上面不斷疊加矽芯片,改善制程成本及物理限制,讓摩爾定律得以繼續(xù)實現(xiàn)。 而立體封裝較為人熟知的是2.5D 與3D 封裝,這邊先從2.5D 封裝談起。所謂的2.5D 封裝,主要的概念是將處理器、記憶體或是其他的芯片,并列排在矽中介板(Silicon Interposer)上,先經(jīng)由微凸塊(Micro Bump)連結(jié),讓矽中介板之內(nèi)金屬線可連接不同芯片的電子訊號;接著再透過矽穿孔(TSV)來連結(jié)下方的金屬凸塊(Solder Bump),再經(jīng)由導線載板連結(jié)外部金屬球,實現(xiàn)芯片、芯片與封裝基板之間更緊密的互連。
▲ 2.5D和3D封裝是熱門的立體封裝技術(shù)。(Source:ANSYS) 目前為人所熟知的2.5D 封裝技術(shù),不外乎是臺積電的CoWoS。CoWoS 技術(shù)概念,簡單來說是先將半導體芯片(像是處理器、記憶體等),一同放在矽中介層上,再透過Chip on Wafer(CoW)的封裝制程連接至底層基板上。換言之,也就是先將芯片通過Chip on Wafer(CoW)的封裝制程連接至矽晶圓,再把CoW 芯片與基板連接,整合成CoWoS;利用這種封裝模式,使得多顆芯片可以封裝到一起,透過Si Interposer 互聯(lián),達到了封裝體積小,功耗低,引腳少的效果。
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