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hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 用于氮化硅刻蝕工藝研究

	價格：11 元(人民幣)	產地：日本
	最少起訂量：1臺	發(fā)貨地：本地至全國
	上架時間：2020-12-22 16:03:11	瀏覽量：158
	伯東企業(yè)(上海)有限公司
	經營模式：代理商	公司類型：外商獨資
	所屬行業(yè)：真空泵	主要客戶：
	在線咨詢

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:羅 (先生)	手機:15201951076
電話:	傳真:
郵箱:marketing@hakuto-vacuum.cn	地址:上海市浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室 201206

詳細介紹

重慶某研究所在在氮化硅刻蝕工藝研究中采用 hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE.

Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術規(guī)格:

真空腔	1 set, 主體不銹鋼,水冷
基片尺寸	1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻,
離子源	? 8cm 考夫曼離子源 KDC75
離子束入射角	0 Degree～± 90 Degree
極限真空	≦1x10-4 Pa
刻蝕性能	一致性: ≤±5% across 4”

該 Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 的核心構件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術參數(shù)：

離子源型號	離子源 KDC 75
Discharge	DC 熱離子
離子束流	>250 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	7.5 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-15 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	20.1 cm
直徑	14 cm
中和器	燈絲

針對氮化硅刻蝕工藝中硅襯底刻蝕損失的問題, 為了提高氮化硅對二氧化硅的刻蝕選擇比, 采用 CF4, CH3F和O2這3種混合氣體刻蝕氮化硅, 通過調整氣體流量比, 腔內壓強及功率, 研究其對氮化硅刻蝕速率、二氧化硅刻蝕速率及氮化硅對二氧化硅選擇比等主要刻蝕參數(shù)的影響.

若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡方式 :

上海伯東 : 羅先生                               臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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