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General Electric 193X186AB-G01 

近年來，非易失性存儲技術在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術來替代傳統的存儲技術可以適應計算機技術發展對高存儲能效的需求。

PCRAM像所有新興存儲器一樣，但是如果是和看好MRAM（磁性隨機存儲器）的人討論，當然會說MRAM適用于各種用途，而PCRAM則否，反之亦然。

與商業化程度更高的MRAM相比，PCRAM擴展的潛力是其最吸引人的特點之一。MRAM中存儲單元的面積大約是PCRAM中的10倍。

這意味著相同字節大小的情況下，前者的單元數量要少得多，因此MRAM的可擴展性非常值得懷疑。

雖然 PCM 存儲器技術看似即將成熟，但到普及恐怕還需要一點時間，但為了因應新興科技的發展，高速儲存裝置仍然是不可或缺的技術，也是市場關注焦點。

目前，國際上僅有三星、英特爾等推出了相關產品，但多為非嵌入式相變存儲器產品。

今年8月時代全芯發布了基于相變材料的2兆位可編程只讀相變存儲器產品“溥元611”。

這是國內首款商業化量產的相變存儲產品，其發布標志著AMT已成為全球繼美光、三星之后少數幾個掌握相變存儲器研發、生產工藝和自主知識產權的公司。

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MRAM在邊緣展現出優勢

作為一種替代方案，MRAM承諾將使晶體管密度提高數倍，從而實現更高的存儲密度或更小的芯片尺寸。

MRAM的另一個關鍵特性是它可以被設計成嵌入式系統芯片產品的后端互連層。MRAM可用于存儲SOC的操作系統和應用程序，從而消除了為此目的而使用嵌入式閃存芯片的需要，從而降低了系統芯片總數和成本。

高性能的“近邊緣”應用場景，如缺陷檢測和醫學篩選，需要更高的性能。一種被稱為自旋軌道轉矩MRAM （SOT-MRAM）的MRAM變體可能被證明比自旋轉矩轉移MRAM （STT-MRAM）更快、更低功耗。

如今的邊緣設備主要使用的是SRAM存儲器，這種存儲器每個cell最多可使用6個晶體管，而且可能會受到高有源漏電功率的影響，從而影響效率。

作為一種替代方案，MRAM可以將使晶體管密度提高數倍，從而實現更高的存儲密度或更小的芯片尺寸。

更大的容量，更緊湊的芯片，更低的功耗，聽起來像是所有處于邊緣處理器的勝利。

這接近于SRAM所“吹噓”的性能，使得MRAM成為當今幾乎所有易失性存儲器的有吸引力的替代品。

與傳統的DRAM和閃存相比，MRAM的一個明顯差距在其容量方面。如Everspin最近發布了一個32Mb的設備。

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