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Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100 用于刻蝕薄膜磁盤

	價(jià)格：11 元(人民幣)	產(chǎn)地：日本
	最少起訂量：1臺(tái)	發(fā)貨地：本地至全國
	上架時(shí)間：2020-11-25 15:40:01	瀏覽量：165
	伯東企業(yè)(上海)有限公司
	經(jīng)營模式：代理商	公司類型：外商獨(dú)資
	所屬行業(yè)：真空泵	主要客戶：
	在線咨詢

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:羅 (先生)	手機(jī):15201951076
電話:	傳真:
郵箱:marketing@hakuto-vacuum.cn	地址:上海市浦東新區(qū)新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室 201206

詳細(xì)介紹

某薄膜磁盤制造采用Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100 用于刻蝕薄膜磁盤, 去除濺射鍍制磁盤薄膜的污染物和提高薄膜的均勻性.

Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100 技術(shù)參數(shù):

Model		MEL3100	Main body
Wafer size		3"～6"	Power Supply	AC200V 3ph 40A
Wafer per batch		1 wafer	Power Supply	*two lines
Cassette	No.	25 wafers	Cooling Water	15 (l/min)
Cassette	Q'ty	1pc.	Cooling Water	<20℃
Throughput		10 (wafer/hr) *1	CDA	0.5 (MPa)
Pressure	Ultimate	8×10-5 (Pa) *2	CDA	>10 (l/min)
Pressure	Process	2×10-2 (Pa) *2	N2	0.2 (MPa)
Etching	Rate	>10 (nm/min)@SiO2 *3	N2	>40 (l/min)
Etching	Uniformity	±5%@132mm (6") *3	Ar	0.2 (MPa)
Wafer surface temp.		<100℃ *3	Ar	20 (sccm)
Stage rotating		1～20 (rpm) ±5%	He	0.2 (MPa)
Stage tilting		±90°±0.5°	He	20 (sccm)
Dimension W×D×H (mm)	Main body	1,600×2,175×1,900	*need additional utilities for Dry pump
	Controller	640×610×1,900	*need additional utilities for Dry pump
	Chiller	555×515×1,025
Weight (kg)	Main body	1,700
	Controller	200
	Chiller	100
*1: Estimated process time 5min
*2: No wafer on stege / process chamber
*3: Depending on process

Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

1. 所有流程全自動(dòng)減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無差錯(cuò)、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量

2. 盒式房間采用高效微粒過濾器

3. 采用高質(zhì)量的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率

4. 占用空間小

5. 傳輸系統(tǒng)采用了 SCARA 型機(jī)器人

6. 控制單元系統(tǒng)提供操作通過觸摸屏/ 10.4英寸, 數(shù)據(jù)記錄可以顯示在屏幕上

7. 高冷卻效果

8. 良好的重復(fù)性和再現(xiàn)性的旋轉(zhuǎn)和傾斜階段具有良好的可重復(fù)性利用脈沖電動(dòng)機(jī)

9. 容易維護(hù)這個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)重點(diǎn)是容易維護(hù)和用戶友好

10. 關(guān)鍵部件服務(wù)伯東的經(jīng)銷商是系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件渦輪泵系統(tǒng)、離子源提供客戶快速響應(yīng)時(shí)間和本地服務(wù)能力,減少停機(jī)時(shí)間的工具

該 Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP 380

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：

射頻離子源型號(hào)	RFICP 380
Discharge 陽極	射頻 RFICP
離子束流	>1500 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	39 cm
直徑	59 cm
中和器	LFN 2000

運(yùn)行結(jié)果:

1. 有效去除濺射沉積時(shí)帶來的污染物

2. 提高了薄膜磁盤的均勻度

3. 獲得具有高矯頑力、高剩磁、高穩(wěn)定性的連續(xù)薄膜型的記錄介質(zhì)

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

上海伯東 : 羅先生                               臺(tái)灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
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