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某半導體公司為了去除晶圓反應表面產生的反應產物, 進而提高反應效率, 同時提高晶圓的均勻度, 采用 Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 用于半導體晶圓刻蝕.

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 產品圖如上圖, 其主要構件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺.

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術參數如下:

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 的樣品臺可以 0-90 度旋轉, 實現晶圓反應面均勻地接受離子的轟擊, 進而實現提高晶圓的加工質量.

運用結果：

1. 有效去除晶圓反應表面產生的反應產物, 進而提高反應效率

2. 晶圓的均勻度得到良好提高

3. 晶圓的加工質量得到明顯提高

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