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半導體芯片制造中，晶圓表面的納米級平坦化，是決定芯片良率的關鍵一環。表面微劃痕、局部起伏、亞表面損傷，都會直接影響后續光刻、薄膜沉積等工序，造成芯片性能衰減甚至整批報廢。

針對硅芯片超精密 CMP 拋光需求，銘衍海微電子生產100nm氧化鋁拋光液MYH?APS120，粒徑小，專為硅芯片、硅晶圓超精密平坦化制程打造，兼顧拋光去除效率與低損傷加工，適配半導體產線量產需求。

一、銘衍海微電子產品簡介

100nm氧化鋁拋光液MYH?APS120，采用高純度磨料，搭配專用高分子分散體系的水性拋光漿料，去劃痕，硅芯片表面的超精密整平加工。

核心作用：高效去除前道工序殘留的微觀劃痕、表面凸起與損傷層，把硅片表面修整至納米級平整度，減少表面缺陷，保障芯片后續制程穩定開展，提升成品良率。

二、銘衍海微電子生產100nm氧化鋁拋光液MYH?APS120核心特點

? 精準 100nm 窄分布粒徑：嚴格管控磨料粒徑，顆粒分布區間窄，嚴控大顆粒雜質，從源頭降低硅片出現劃傷的風險，拋光后表面粗糙度均勻可控，滿足硅芯片超精拋的精度標準。

? 優異懸浮分散性能：特殊表面改性配方，漿料久置不易沉降、團聚、分層，上機后濃度穩定，長時間連續加工，拋光效果波動小，適配自動化 CMP 設備生產。

? 高效去除，低損傷拋光：納米氧化鋁磨料磨削效率優異，可快速消除硅片表面微觀缺陷；顆粒經過球形改性處理，研磨應力柔和，在保障去除速率的同時，降低亞表層晶格損傷風險，兼顧效率與工件保護。

? 半導體級潔凈配方：低重金屬雜質，配方溫和，拋光后工件易清洗，降低后段清洗工序壓力，適配潔凈車間作業，支持循環過濾使用，幫助工廠控制量產耗材成本。

三、主要應用場景

·      硅芯片、硅晶圓超精密 CMP 平坦化拋光

·      半導體襯底精拋、后道精細整平工序

·      適配全自動拋光設備，可用于大批量量產，也可滿足小批量精密試樣加工

銘衍海微電子，深耕精密研磨拋光耗材研發生產。除半導體 CMP 拋光液之外，同時布局光通信研磨液、拉纖液全系列產品，可為不同行業客戶提供工藝適配、試樣打樣服務，歡迎聯系銘衍海微電子！