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銘衍海微電子（常州）有限公司深耕半導體精密拋光材料領域，自主研發的MYH-APS120氧化鋁超精拋液，是針對芯片晶圓CMP精拋制程優化的專用精密耗材。芯片制造過程中，晶圓納米級全局平坦化，是保障光刻、薄膜沉積、金屬布線等核心工序穩定進行的關鍵前提，表面平整度與低缺陷表現，直接影響芯片良率與使用可靠性。本品專為半導體硬脆基材定制，適配硅晶圓、碳化硅、砷化鎵襯底及鎢、銅互連薄膜的精細平坦化加工，可有效修復粗拋殘留的微觀劃痕、亞表面損傷與局部起伏，適用于各類芯片中段整平與后段超精拋工序。

相較于市面通用拋光材料，MYH-APS120在芯片精拋場景具備明顯技術優勢。產品采用電子級球形改性α-氧化鋁磨料，穩定120nm精準粒徑，搭配窄粒徑分布體系，嚴格管控超大顆粒雜質，從源頭減少晶圓缺陷。傳統硅溶膠拋光液硬度偏低，針對硬質半導體襯底整平能力有限、去除速率較慢，難以徹底消除深層研磨損傷；普通氧化鋁拋光液多為棱角顆粒，容易造成晶圓微劃傷、晶格隱裂與介質層過度磨削。本品通過球形化改性工藝，研磨應力均勻柔和，在保證合理去除速率的同時，維持優異的表面精度，契合半導體精密質控要求。

產品搭載升級高分子分散緩沖體系，有效改善傳統氧化鋁漿料易沉降、易團聚、批次穩定性差的問題。成品漿料懸浮性優異，長期存放不易分層結塊，上機拋光濃度均勻穩定，可有效控制單顆晶圓厚度偏差，降低批量加工粗糙度波動，適配半導體產線標準化、量產化的精密工藝管控。

本品采用半導體級純水基配方，無重金屬、無強腐蝕組分，化學性質溫和，不會損傷芯片精密線路與介質薄膜。拋光后殘留物易清洗，可簡化后段清洗流程，符合潔凈車間生產標準。產品兼容6–12英寸全自動CMP設備，支持循環過濾使用，可有效降低量產耗材成本。

MYH-APS120可廣泛應用于功率半導體、存儲芯片、再生晶圓等精密制程，可單獨完成中段整平作業，也可搭配終端精拋漿料構建完整平坦化工藝。企業可根據不同基材、制程節點與設備參數進行配方微調，適配多場景精密拋光需求，是半導體CMP拋光領域高適配、高穩定性的國產替代耗材。