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銘衍海微電子（常州）有限公司深耕半導(dǎo)體精密拋光材料領(lǐng)域，自主研發(fā)的MYH-APS120氧化鋁超精拋液，是針對芯片晶圓CMP精拋制程優(yōu)化的專用精密耗材。芯片制造過程中，晶圓納米級全局平坦化，是保障光刻、薄膜沉積、金屬布線等核心工序穩(wěn)定進行的關(guān)鍵前提，表面平整度與低缺陷表現(xiàn)，直接影響芯片良率與使用可靠性。本品專為半導(dǎo)體硬脆基材定制，適配硅晶圓、碳化硅、砷化鎵襯底及鎢、銅互連薄膜的精細平坦化加工，可有效修復(fù)粗拋殘留的微觀劃痕、亞表面損傷與局部起伏，適用于各類芯片中段整平與后段超精拋工序。

相較于市面通用拋光材料，MYH-APS120在芯片精拋場景具備明顯技術(shù)優(yōu)勢。產(chǎn)品采用電子級球形改性α-氧化鋁磨料，穩(wěn)定120nm精準粒徑，搭配窄粒徑分布體系，嚴格管控超大顆粒雜質(zhì)，從源頭減少晶圓缺陷。傳統(tǒng)硅溶膠拋光液硬度偏低，針對硬質(zhì)半導(dǎo)體襯底整平能力有限、去除速率較慢，難以徹底消除深層研磨損傷；普通氧化鋁拋光液多為棱角顆粒，容易造成晶圓微劃傷、晶格隱裂與介質(zhì)層過度磨削。本品通過球形化改性工藝，研磨應(yīng)力均勻柔和，在保證合理去除速率的同時，維持優(yōu)異的表面精度，契合半導(dǎo)體精密質(zhì)控要求。

產(chǎn)品搭載升級高分子分散緩沖體系，有效改善傳統(tǒng)氧化鋁漿料易沉降、易團聚、批次穩(wěn)定性差的問題。成品漿料懸浮性優(yōu)異，長期存放不易分層結(jié)塊，上機拋光濃度均勻穩(wěn)定，可有效控制單顆晶圓厚度偏差，降低批量加工粗糙度波動，適配半導(dǎo)體產(chǎn)線標準化、量產(chǎn)化的精密工藝管控。

本品采用半導(dǎo)體級純水基配方，無重金屬、無強腐蝕組分，化學性質(zhì)溫和，不會損傷芯片精密線路與介質(zhì)薄膜。拋光后殘留物易清洗，可簡化后段清洗流程，符合潔凈車間生產(chǎn)標準。產(chǎn)品兼容6–12英寸全自動CMP設(shè)備，支持循環(huán)過濾使用，可有效降低量產(chǎn)耗材成本。

MYH-APS120可廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、存儲芯片、再生晶圓等精密制程，可單獨完成中段整平作業(yè)，也可搭配終端精拋漿料構(gòu)建完整平坦化工藝。企業(yè)可根據(jù)不同基材、制程節(jié)點與設(shè)備參數(shù)進行配方微調(diào)，適配多場景精密拋光需求，是半導(dǎo)體CMP拋光領(lǐng)域高適配、高穩(wěn)定性的國產(chǎn)替代耗材。