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失效分析?方法分為有損分析，無(wú)損分析，物理分析，化學(xué)分析等。

失效分析的意義：分析機(jī)械零器件失效原因，為事故責(zé)任認(rèn)定、偵破犯罪案件、裁定賠償責(zé)任、保險(xiǎn)業(yè)務(wù)、修改產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)等提供科學(xué)依據(jù)；減少和預(yù)防同類機(jī)械零器件的失效現(xiàn)象重復(fù)發(fā)生，保障產(chǎn)品質(zhì)量，提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力；為企業(yè)技術(shù)開發(fā)、技術(shù)改造提供信息，增加企業(yè)產(chǎn)品技術(shù)含量，從而獲得更大的經(jīng)濟(jì)效益

集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)室主要對(duì)集成電路進(jìn)行相關(guān)的檢測(cè)分析服務(wù)。

集成電路的相關(guān)產(chǎn)業(yè)，如材料學(xué)，工程學(xué)，物理學(xué)等等，集成電路的發(fā)展與這些相關(guān)產(chǎn)業(yè)密不可分，對(duì)集成電路展開失效分析相關(guān)實(shí)驗(yàn)分析時(shí)勢(shì)必要涉及這些相關(guān)產(chǎn)業(yè)。實(shí)驗(yàn)室也可以提供非集成電路樣品的微區(qū)觀測(cè)，元素鑒別，樣品形貌處理，斷層分析等相關(guān)服務(wù)。

失效分析主要項(xiàng)目：

SEM 掃描電鏡/EDX

成分分析：包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、精確測(cè)量元

器件尺寸等等。探針測(cè)試：以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號(hào)。鐳射切割：以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。

EMMI偵測(cè)：EMMI微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯(cuò)析工具，提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式，可偵測(cè)和定位非常微弱的發(fā)光（可見光及近紅外光），由此捕捉各種元件缺陷或異常所產(chǎn)生的漏電流可見光。OBIRCH應(yīng)用（鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測(cè)試）：OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法，可以有效地對(duì)電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等，也能有效的檢測(cè)短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補(bǔ)充。

LG液晶熱點(diǎn)偵測(cè)：利用液晶感測(cè)到IC漏電處分子排列重組，在顯微鏡下呈現(xiàn)出不同于其它區(qū)域的斑狀影像，找尋在實(shí)際分析中困擾設(shè)計(jì)人員的漏電區(qū)域（超過10mA之故障點(diǎn)）。
定點(diǎn)/非定點(diǎn)芯片研磨：移除植于液晶驅(qū)動(dòng)芯片 Pad上的金凸塊， 保持Pad完好無(wú)損，以利后續(xù)分析或rebonding。

X-Ray
無(wú)損偵測(cè)：檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性

無(wú)損分析：外觀檢查、X射線透視檢測(cè)、三維CT檢測(cè)、C-SAM檢測(cè)

熱分析：紅外熱成像差示掃描量熱法（DSC）、熱機(jī)械分析（TMA）、熱重分析（TGA）、動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析（DMA）、導(dǎo)熱系數(shù)（穩(wěn)態(tài)熱流法、激光散射法）

表面元素分析：掃描電鏡及能譜分析（SEM/EDS）、顯微紅外分析（FTIR）、俄歇電子能譜分析（AES）、X射線光電子能譜分析（XPS）、二次離子質(zhì)譜分析（TOF-SIMS）

電性能測(cè)試：擊穿電壓、耐電壓、介電常數(shù)、電遷移

破壞性檢測(cè)：染色及滲透檢測(cè)、切片分析（金相切片、聚焦離子束（FIB）制樣、離子研磨（CP）制樣）