| IGBT模塊動態特性測試系統STA3500 |
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價格：1000000 元(人民幣) | 產地：陜西 |
| 最少起訂量：1套 | 發貨地：西安市 | |
| 上架時間：2024-03-18 11:20:39 | 瀏覽量：146 | |
陜西天士立科技有限公司
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| 經營模式：生產加工 | 公司類型： | |
| 所屬行業：電子測量儀器 | 主要客戶： | |
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IGBT模塊動態特性測試系統STA3500
陜西天士立科技有限公司 專注半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗
IGBT模塊動態特性測試系統STA3500 電氣配置 高壓源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV 高流源/IC：600A/1500A/3000A/6000A/10KA 短路電流/Isc：3000A/6000A/10KA（5-50?s） 驅動電壓/VGE：±0.5~30V/±0.5~50V Rg：0.5R、1R、2R、4R（支持手動和自動切換） 負載/L：10 50 150 500 1000 2000 uH 電流/I：6000 3000 1500 600 400 200 A
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IGBT模塊動態特性測試系統STA3500 測試條件 Vcc范圍：50-3300 VIC范圍：50-200A（雪崩條件） IC范圍：50-1500A L電感：10/50/150/5001000/2000uH VGE（on/off）：±30V(電壓可設置) tp測試時間：10-1000us（自動計算） twsoff脈沖間隔：10-50us（可設置） 電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R(Qg條件） IscMAX（最大）：6KA/10KA(SC條件）
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IGBT模塊動態特性測試系統STA3500 試驗能力 標配，開關特性/Turn_ON/OFF_L 標配，二極管反向恢復特性/Qrr-FRD 標配，柵電荷/Qg 選配，短路特性/SC 選配，單/雙脈沖安全工作區/RBSOA(Sp/Dp) 選配，雪崩耐量/UIS
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IGBT模塊動態特性測試系統STA3500 波形例舉
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IGBT模塊動態特性測試系統STA3500 參數指標 標配（阻性/感性）開關測試單元/Turn_ON/OFF_L 1. 開通/關斷時間ton/toff：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4% 2. 開通/關斷延遲td(on)/td(off）：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4% 3. 上升/下降時間tr/tf：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4% 4. 開通/關斷損耗Eon/Eoff：0.5-10000mJ解析度：0.1mJ 5. 關斷拖尾時間tz：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4% 6. 導通/關斷峰值電壓Vce/VCEpk：50-1400V解析度/精度：1V@±4% 7. 通態峰值電流Ipeak/Ic：20-1500A解析度/精度：1A@±4% 標配 二極管反向恢復測試單元/Qrr_FRD 1. 反向恢復時間Trr：10-1000ns解析度和精度：1ns@±4% 2. 最大反向電流Irm：20A-1500A解析度：1A 3. 反向恢復電荷Qrr：1nC-30000?C解析度：1nC 4. 反向恢復損耗Erec：0.5-10000mJ，解析度：0.1mJ 5. di/dt@dv/dt：10A-8000A/us@0.2-5KV/us 6. 反向關斷峰值電壓VRRpk：50-1400V解析度和精度：1ns@±4% 7. 正向關斷電流IFM：20A-1500A解析度和精度：1ns@±4% 標配 柵極電荷單元/Qg 1. 閾值電荷Qg(th)：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4% 2. 柵電荷Qg：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4% 3. 平臺電壓vg：.-10V~+20v解析度/精度：0.1V@±2% 4. 柵源電荷Qgs：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4% 5. 柵漏電荷Qgd：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4% 選配 短路特性測試單元/SCSOA 1. 短路電流Isc：6000A解析度/精度：1A@±4% 2. 短路時間Tsc：5~100us 選配 安全工作區/RBSOA 1. RBSOA：VCE/50-1.4KV，Ic/20-2KA 2. VCE/Ic解析度/精度：1V/1A@±4% 選配 雪崩特性測試單元/UIS 1. 單/重復脈沖雪崩能量EAS/EAR：1~2000J解析度：0.1mJ 2. 單脈沖雪崩電流IAS：5-200A解析度和精度1A@±4% 3. 單脈沖雪崩功率PAS：最大140KW
IGBT模塊動態特性測試系統STA3500
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