| 晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 |
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價(jià)格：980000 元(人民幣) | 產(chǎn)地：陜西 |
| 最少起訂量：1套 | 發(fā)貨地：西安市 | |
| 上架時(shí)間：2024-03-15 17:57:55 | 瀏覽量：224 | |
陜西天士立科技有限公司
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| 經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)加工 | 公司類(lèi)型： | |
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晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200
陜西天士立科技有限公司 專(zhuān)注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)
晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 基礎(chǔ)信息 高壓源：1200V（選配2000V） 高流源：100A（選配200A/300A/500A） 驅(qū)動(dòng)電壓：±20V（選配±30V） 時(shí)間分辨率：1ns（選配400ps/200ps/100ps） 系統(tǒng)雜感：＜20nH 測(cè)試對(duì)象：Si（SiC/GaN）IGBT,Diode,MOSFET（選配BJT） 變溫測(cè)試：常溫~150℃/200℃ 感性負(fù)載：程控電感（0.01~160mH，步進(jìn)10uH） 阻性負(fù)載：程控電阻（1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω）備用三個(gè) 測(cè)試管型：可以測(cè)試N溝道和P溝道的IGBTs,MOSFETs 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：IEC60747-9/IEC60747-2，GB/T29332/GB/T4023
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晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 試驗(yàn)原理舉例
晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 技術(shù)特點(diǎn) 1. 專(zhuān)注寬禁帶功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)評(píng)測(cè)，軟件程控，測(cè)試條件界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動(dòng)調(diào)節(jié)一鍵測(cè)試 2. 采用光纖驅(qū)動(dòng)信號(hào)通訊，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強(qiáng) 3. 自動(dòng)加熱可由室溫~200℃，精度±0.1℃ 4. 測(cè)試結(jié)果Excel，JPEG波形，波形任意縮放細(xì)節(jié)展寬分析 5. 測(cè)試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實(shí)測(cè)) 6. 柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg端口開(kāi)放，按設(shè)定條件匹配電阻 7. DualARM控核，DSP數(shù)據(jù)采樣計(jì)算，極大減少控制時(shí)延誤差
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晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 試驗(yàn)?zāi)芰?/b> 標(biāo)配：開(kāi)通特性測(cè)試單元/Turn_ON 標(biāo)配：關(guān)斷特性測(cè)試單元/Turn_OFF 標(biāo)配：二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元/Trr 標(biāo)配：柵電荷測(cè)試單元/Qg¨ 選配：容阻測(cè) 試單元/CR¨ 選配：短路測(cè)試單元/SC¨ 選配：雪崩測(cè)試單元/UIS¨ 選配：安全工作區(qū)單元/SOA¨ 選配：動(dòng)態(tài)電阻單元/
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晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 參數(shù)指標(biāo)
¨ 選配 動(dòng)態(tài)電阻Ron,dy
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