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IGBT測試項目

測試條件

測試結果

柵極-發射極柵

極絕緣

Vges:?1.0-20.0V ,分辨力,0.1V

精度:±3%?±0.1V

Iges: 0.1-20.0?A,分辨力,0.1?A

精度:±3%?±0.1?A

截止電流

Vces:?100-2000V,分辨力,1 V

精度:±3%?±10V

Ices:?100?A-1000?A,分辨力,10?A

1.0mA-10.0mA,分辯力,0.1mA

精度:±3%?±10?A

閾值電壓

Ice：?1-10mA， 分辨力，?1mA

（可根據客戶需求擴展）

Vge(th):?1.0-10.0V,分辨力,0.1V

精度:±3%?±0.1V

飽和壓降

Ice: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3%?±1A

Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V

精度:±3%?±0.10V

二極管壓降

If: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3%?±1 A

Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3%?±0.10V

二極管反向電流

Vd:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3%?±10V

Id:?100?A-1000?A,分辨力,10?A

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3%?±10?A

MOSFET測試項目

測試條件

測試結果

柵極-源極絕緣

Vgss:?1.0-20.0V ,分辨力,0.1V

精度:±3%?±0.1V

Igss: 0.1-20.0?A,分辨力,0.1?A

精度:±3%?±0.1?A

漏極-源極截止電流

Vdss:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3%?±10V

Idss:100?A-1000?A,分辨力,10?A

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3%?±10?A

柵極-源極閾值電壓

Ids：?1-10mA， 分辨力，?1mA

Vgs(to):?1.0-10.0V,分辨力,0.1V

精度:±3%?±0.1V

漏極-源極導通電阻

Ids:20-200A,分辨力,1A

精度:±3%?±1A

Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR

二極管壓降

If: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3%?±1 A

Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3%?±0.10V

二極管反向電流

Vdss:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3%?±10V

Idss:100?A-1000?A,分辨力,10?A

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3%?±10?A

DIODE測試項目

測試條件

測試結果

二極管壓降

If:20-200A,分辨力,1A

精度:±3%?±1A

Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3%?±0.10V

二極管反向電流

Vd:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3%?±10V

Id:100?A-1000?A,分辨力,10?A

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3%?±10?A