| KJ4003X1-BC1 電源 安全性能高 |
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價格:999 元(人民幣) | 產地:本地 |
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漳州耀越貿易有限公司
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KJ4003X1-BC1 電源 安全性能高
KJ4003X1-BC1 電源 安全性能高
前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出多功能新型30V n溝道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度,增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封裝,10V柵極電壓條件下導通電阻僅為0.71 m?,導通電阻與柵極電荷乘積,即開關應用中MOSFET關鍵的優值系數(FOM)為42 m?*nC,達到業內先進水平。 日前發布的器件占位面積與PowerPAK 1212-8S封裝相同,導通電阻降低18%,提高了功率密度,同時源極倒裝技術將熱阻從63?C/W降至56?C/W。此外,SiSD5300DN優值系數比上代器件低35%,從而降低了導通和開關損耗,節省功率轉換應用的能源。 PowerPAK1212-F源極倒裝技術顛倒通常接地焊盤和源極焊盤的位置,擴大接地焊盤面積,提供更有效的散熱路徑,有助于降低工作溫度。同時,PowerPAK 1212-F減小了開關區范圍,有助于降低跡線噪聲的影響。另外,PowerPAK 1212-F封裝源極焊盤尺寸增加了10倍,從0.36mm2提高到4.13 mm2,從而改進熱性能。PowerPAK1212-F中央柵極結構還簡化了單層PCB基板多器件并聯的使用。 KJ4003X1-BC1 電源 安全性能高
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