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后面板連接器

除非另有說明，后面板輸入和輸出均為3.3V CMOS；CMOS輸入將接受5 V CMOS、3 V CMOS或TTL 電壓水平

射頻輸出(選項1EM)通過精密N型母接頭輸出射頻信號

I和Q輸入(選項1EM)接受I/Q調制SMB連接器的“同相”和“正交”輸入信號， 標稱輸入阻抗為50ω；損傷等級為1 Vrms和5v peak；選項1EM N5162A設備將附帶2個SMB到BNC適配器

I和Q輸出BNC從內部基帶發生器輸出模擬I/Q調制信號； 標稱輸出阻抗50ω，DC耦合；傷害等級2 V

I條和Q條輸出(選項1EL) BNC輸出差分應用的I和Q信號的補碼；

DAC Clk In(選項012)保留供將來使用。

事件1該連接器輸出由標記1產生的可編程定時信號 標記信號也可以在內部路由，以控制射頻消隱和ALC保持 功能；輔助I/O連接器上也有該信號 該輸出兼容TTL和3.3 V CMOS 損壞水平為>+8 V和<–4V

模式觸發器接受信號以觸發內部模式發生器開始單一模式輸出，用于 配合內部基帶發生器使用 接受脈沖寬度為10 ns的CMOS信號 女性BNC 損壞水平為>+8 V和<–4V

BBTRIG 1保留給任意和實時基帶發生器I/O，如標記或 觸發輸入

BBTRIG 2保留給任意和實時基帶發生器I/O，如標記或 觸發輸入

信號發生器掃描時，Sweep out產生0至+10 V的輸出電壓；這 也可以對輸出進行編程，以指示源何時建立或輸出脈沖 在這種模式下，視頻和TTL和CMOS兼容；輸出阻抗< 1ω，can 驅動2kω；損壞等級為15伏

Ext 1外部AM/FM/PM #1輸入；標稱輸入阻抗為50ω/600ω/1Mω， 名義上的；傷害等級為5 V

Ext 2外部AM/FM/PM #2輸入；標稱輸入阻抗為50ω/600ω/1Mω， 名義上的；傷害等級為5 V

LF輸出0至5 V峰值至50ω，標稱–5 V至5V失調

脈沖外部脈沖調制輸入；該輸入是TTL和CMOS兼容的；低邏輯 電平為0 V，高邏輯電平為+1v；標稱輸入阻抗為50ω；投入 損壞水平為≤–0.3V和≥ +5.3 V

E8257D模擬信號發生器 頻率范圍選件
E8257D-513： 250 kHz - 13 GHz
E8257D-520：250 kHz - 20 GHz
E8257D-521： 10 MHz - 20 GHz超高輸出功率
E8257D-532： 250 kHz - 31.8 GHz
E8257D-540： 250 kHz - 40 GHz
E8257D-550： 250 kHz - 50 GHz
E8257D-567：250 kHz - 67 GHz
N5193A UXG X 系列捷變信號發生器，10 MHz 至 40 GHz
N5191A UXG X 系列捷變信號發生器
N5192A UXG X 系列矢量適配器，改進型，50 MHz 至 20 GHz
N5194A UXG X 系列捷變矢量適配器，50 MHz 至 20 GHz
N5183B MXG X 系列微波模擬信號發生器，9 kHz 至 40 GHz
N5183A MXG 微波模擬信號發生器，100 kHz 至 40 GHz
N5182A MXG 矢量信號發生器，100 kHz 至 6 GHz
N5182B MXG X 系列射頻矢量信號發生器，9 kHz 至 6 GHz
N5181B MXG X 系列射頻模擬信號發生器，9 kHz 至 6 GHz
N5173B 9 kHz 至 13G,20G，31.8G，40G EXG X 系列微波模擬信號發生器.
N5172B 9 kHz 至3G ，6G EXG X 系列射頻矢量信號發生器
N5171B 9 kHz 至1G,3G,6G ，EXG X 系列射頻模擬信號發生器，EXG X 系列中檔性能射頻模擬信號發生器可以提供 9 kHz 至 6 GHz 的頻率范圍，并針對制造測試進行了優化，具有更高的效率和更長的運行時間以及適合的價格。
E8267D 100HZ-13G,20G，31.8G，44G PSG 矢量信號發生器，E8267D PSG 集成高性能微波矢量信號發生器覆蓋 250 kHz 至 44 GHz 的頻率范圍（可擴展至 500 GHz），適用于航空航天/國防、衛星通信和寬帶無線等應用的設計與制造。
E8267C 20G PSG 矢量信號發生器，高達 20 GHz
E8257C 20G,40G，PSG 模擬信號發生器，高達 40 GHz
E8247C 20G,40G，PSG CW 信號發生器，高達 40 GHz