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功率MOSFET 開關過程的電壓波形如圖3-9所示。開通時間ton分為延時時間td和上升時間t兩部分，與功率MOSFET 的開啟電壓UGs(th)和輸入電容Ci有關，并受信號源的上升時間和內阻的影響。關斷時間toi可分為儲存時間t、和下降時間t兩部分，由功率MOSFET 源源間電容Cs和負載電阻決定。通常功率MOSFET 的開關時間為10~100ns,而雙極型器件的開關時間則以微秒計，甚至達到幾十微秒。

主要參數
通態電阻Ron通態電阻Ron是與輸出特性密切相關的參數，是指在確定的柵源電壓Ucs下，功率MOSFET 由可調電阻區進入飽和區時的集射極間的直流電阻。它是影響最大輸出功率的重要參數，在開關電路中決定了輸出電壓幅度和自身損耗大小。在相同的條件下，耐壓等級愈高的器件，其通態電阻愈大，且器件的通態壓降愈大。這也是功率MOSFETI 電壓難以提高的原因之一。