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UPS電子輸出特性：電子在溝道中移動的方向。左圖表示N溝道，電流的方向是從漏極出發，經過N溝道流入N區，最后從源極流出；右圖表示P溝道，電流方向是從源極出發，經過P溝道流入P“區，最后從漏極流出。不論是N溝道的MOSFET還是P溝道的MOSFET，只有一種載流子導電.故稱其為單極型器件，這種器件不存在像雙極型器件那樣的電導調制效應，也不存在少子復合問題，所以它的開關速度快、安全工作區寬并且不存在二次擊穿問題。因為它是電壓控制型器件，使用極為方便。

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此外，功率MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，因此它的漏極電流具有負溫度系數，便于并聯應用。（2）主要特性功率MOSFET的特性包括靜態特性和動態特性，輸出特性和轉移特性屬靜態特性，而開關特性則屬動態特性。①輸出特性輸出特性也稱漏極伏安特性，它是以柵源電壓Uas為參變量，反映漏極電流In與漏源極電壓Uos間關系的曲線簇

輸出特性分為以下三個區。0·可調電阻區Ⅰ: Uos一定時，漏極電流Ip與漏源極電壓Uts幾乎呈線性關系。當MOSFET作為開關器件應用時，工作在此區內。·飽和區Ⅱ：在該區中，當Uas不變時，1n幾乎不隨Ups的增加而加大，Ip近似為一個常數。當MOSFET用于線性放大時，則工作在此區內。·雪崩區Ⅲ：當漏源電壓Uos過高時，使漏極PN結發生雪崩擊穿，漏極電流Io會急劇增加。在使用器件時應避免出現這種情況，否則會使器件損壞。功率MOSFET無反向阻斷能力，因為當漏源電壓Uus＜0時，漏區PN結為正偏，漏源間流過反向電流。因此，功率MOSFET在應用過程中，若必須承受反向電壓，則MOSFET電路中應串入快速二極管。②轉移特性轉移特性是指在一定的漏極與源極電壓Uns下，功率MOSFET的漏極電流Ib和柵極電壓Uas的關系曲線。

該特性表征功率MOSFET的柵源電壓Uas對漏極電流ID的控制能力。由圖3-7 ( a )可見，只有當漏源電壓Uas＞Uasam時，器件才導通，UGsab )稱為開啟電壓。圖3-7 ( b )所示為殼溫Tc對轉移特性的影響。由圖可見，在低電流區，功率MOSFET具有正電流溫度系數，在同一柵壓下，ID隨溫度的上升而增大；而在大電流區，功率MOSFET具有負電流溫度系數，在同一柵壓下，lp隨溫度的上升而下降。在電力電子電路中，功率MOSFET作為開關元件通常工作于大電流開關狀態，因而具有負溫度系數。此特性使功率MOSFET具有較好的熱穩定性，芯片熱分布均勻，從而避免了由于熱電惡性循環而產生的電流集中效應所導致的二次擊穿現象。