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 1.IGBT結(jié)構(gòu)和工作原理
    將IGBT結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化為等效電路，可以看出是雙極性晶體管和MOSFET組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，等效為一個(gè)由MOSFET驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)PNP晶體管。元件的開(kāi)通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極之間的電壓決定，當(dāng)電壓大于開(kāi)啟電壓之后MOSFET內(nèi)形成溝道，并為晶體管提供基極電流從而使IGBT導(dǎo)通。
    當(dāng)柵極和發(fā)射極之間施加反向電壓或者不施加信號(hào)后，MOSFET內(nèi)部溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關(guān)斷。