| 半絕緣碳化硅晶錠廠商 4H-SI型碳化硅襯底工廠 |
 |
價(jià)格： 元(人民幣) | 產(chǎn)地：本地 |
| 最少起訂量：1毫米 | 發(fā)貨地：江蘇蘇州市 | |
| 上架時(shí)間：2022-11-11 11:52:18 | 瀏覽量：288 | |
蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
 |
||
| 經(jīng)營模式：生產(chǎn)加工 | 公司類型：私營有限責(zé)任公司 | |
| 所屬行業(yè)：集成電路/IC | 主要客戶：全國 | |
 在線咨詢  |
||
| 聯(lián)系人:程經(jīng)理 () | 手機(jī):15366203573 |
電話: |
傳真: |
| 郵箱: | 地址:蘇蠡路 |
|
半絕緣碳化硅晶錠廠商 4H-SI型碳化硅襯底工廠 蘇州恒邁瑞材料科技生產(chǎn)供應(yīng)半絕緣型碳化硅晶棒，產(chǎn)品尺寸為4英寸或者6英寸。晶向：On axis : <0001>±0.5°。晶棒厚度平均為20mm。同時(shí)也提供半絕緣型碳化硅襯底晶片，厚度為500um。 SiC材料開關(guān)損耗極低，全SiC功率模塊的開關(guān)損耗大大低于同等IGBT模塊的開關(guān)損耗，而且開關(guān)頻率越高，與IGBT模塊之間的損耗差越大，這就意味著對于IGBT模塊不擅長的高速開關(guān)工作，全SiC功率模塊不僅可以大幅降低損耗還可以實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)。SiC材料具備更低的通態(tài)電阻，阻值相同的情況下可以縮小芯片的面積，SiC功率模塊的尺寸可達(dá)到僅為Si的1/10左右。SiC的禁帶寬度3.23ev，相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度，承受的溫度相對Si更高；SiC材料擁有3.7W/cm/K的熱導(dǎo)率，而硅材料的熱導(dǎo)率僅有1.5W/cm/K，更高的熱導(dǎo)率可以帶來功率密度的顯著提升，同時(shí)散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)更簡單，或者直接采用自然冷卻。 |
| 版權(quán)聲明：以上所展示的信息由會員自行提供，內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負(fù)責(zé)。機(jī)電之家對此不承擔(dān)任何責(zé)任。 友情提醒：為規(guī)避購買風(fēng)險(xiǎn)，建議您在購買相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。 |
機(jī)電之家網(wǎng) - 機(jī)電行業(yè)權(quán)威網(wǎng)絡(luò)宣傳媒體
關(guān)于我們 | 聯(lián)系我們 | 廣告合作 | 付款方式 | 使用幫助 | 會員助手 | 免費(fèi)鏈接Copyright 2026 jdzj.com All Rights Reserved??技術(shù)支持：機(jī)電之家 服務(wù)熱線：0571-87774297
網(wǎng)站經(jīng)營許可證:浙B2-20080178
