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NP1216DR-G南麟12V P溝道增強型MOSFET
NP1216DR-G南麟12V P溝道增強型MOSFET 價格:0.11  元(人民幣) 產地:上海
最少起訂量:1 發貨地:1
上架時間:2022-07-29 16:36:20 瀏覽量:907
深圳市東誠興電子有限公司  
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詳細介紹

NP1216DR-G南麟12V P溝道增強型MOSFET

NP1216DR-G南麟12V P溝道增強型MOSFET

NP1216DR-G南麟12V P溝道增強型MOSFET


描述

NP1216DR采用先進的溝槽技術

提供出色的RDS(ON)

一般特征

、低柵極電荷和

柵極電壓低至1.8V時運行。這

該裝置適合用作負載開關或PWM

應用。? VDS=-12V,ID

R=-16A

DS(ON)(典型值)=18米? @VGS

R=-2.5V

DS(開)(典型值)=13m? @VGS

? 高功率和電流處理能力

=-4.5V

? 獲得無鉛產品

? 表面貼裝封裝

應用

? PWM應用

? 負荷開關

包裹

? DFN2*2-6L-B

NP1216DR-G南麟12V P溝道增強型MOSFET


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