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                                                   進相器功率因數搖擺不定的原因

      靜止式進相器采用交－交變頻裝置，將50HZ的工頻電壓轉變為與電動機轉子電流同頻的低頻電壓附回電機的轉子回路，并使該附加電壓滯后轉子電流90,達到電動機轉子側串接電容器的效果。這個附加電壓是由50HZ的基波組成。

      進相器的主要組成部分是由12只可控硅的交－交變頻裝置和控制、觸發電路，如果某一只可控硅損壞不能正確導通，就會引起環流，進相器內的可控硅和銅排溫度會升高，對外反應到表上，就會導致電流表和功率因數表搖擺不定，比不進相時指針擺動大，這時就可以查一下可控硅有沒有擊穿的，觸發脈沖是否正常，可控硅壞了幾只就全部換掉，壓好散熱器片，換好后先把主控板打到試驗狀態，再試，如果一切正常，然后打到工作狀態，再按照開機順序，一步步把設備開起來，再投入進相器，這時再觀察進相器功率因數搖擺不定的現象是不是沒有了。

     進相器等設備在運行過程中，會受到由交流供電電網進入的操作過電壓和雷擊過電壓的侵襲。同時，設備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現。過電壓保護的第一種方法就是可控硅兩端并接R-C阻容吸收回路，在可控硅陰陽極兩端直接進行保護�？煽毓桕P斷過程中主電流過零反向后迅速由反向峰值恢復至零電流，此過程可在元件兩端產生達正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。電阻R選無感電阻，通常取5-30Ω;電容C通常在0. 1-1μF,耐壓選元件耐壓的1. 1-1. 5倍。具體R、C取值可根據元件型號及工作情況調試決定。注意保證電阻R的功率，使之不會因發熱而損壞。加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應有所限制，如果dv/dt過大，由于可控硅結電容的存在而產生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發電流的作用，使可控硅正向阻斷能力下降，嚴重時引起可控硅誤導通。為了抑制dv/dt的作用，可以在可控硅兩端并聯R-C阻容吸收回路。