氣體傳感器介紹人們已經發現SnO2、ZnO、Fe2O3、Cr2O3、MgO、NiO2等材料都存在氣敏效應。用這些金屬氧物制成氣敏薄膜是阻抗器件，氣體分子和敏感膜之間能交換離子，發生還原反應，引起敏感膜電阻變。作為傳感器還要這種反應必須是可逆，即為氣體分子還必須發生一次氧反應。傳感器內加熱器有助于氧反應進程。
氣體傳感器闡述按計算，在SnO2中加入3～5％ThO2，5％Sm2．在600℃H2氣氛中燒結，制成厚膜器件，溫度為400℃。則可作為CO器件。上右是燒結溫度為600℃時氣敏器件特性。可看出，溫度在170～200℃內，對H2靈敏度曲線呈拋物線，而對CO改變溫度則影響不大，因此，利用器件這一特性H2。而燒結溫度為400℃制成器件，溫度為200℃時，對H2、CO靈敏度曲線形狀都近似呈直線，但對CO靈敏度要高得多，制成對CO敏感氣體傳感器。
氣體傳感器樣式氣敏二極管特性曲線左移看作二極管導通電壓發生改變，這一特性如果發生在場效應管柵極，將使場效應管閾值電壓UT改變。利用這一制成MOSFET型氣敏器件。 氫氣敏MOSFET是典型氣敏器件，它用金屬鈀Pd制成鈀柵。在含有氫氣氣氛中，由于鈀催，氫氣分子成氫原子擴散到鈀與二氧硅界面，終導致MOSFET閾值電壓UT發生變。時常將柵漏短接，MOSFET在飽和區，此時漏極電流ID=βUGS—UT2，利用這一電路測出氫氣濃度。
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