| IGBT靜態參數綜合特性測試儀 |
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價格： 元(人民幣) | 產地：廣東深圳市 |
| 最少起訂量：1臺 | 發貨地：廣東深圳市 | |
| 上架時間：2020-09-21 11:19:02 | 瀏覽量：365 | |
深圳市華科智源科技有限公司
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| 經營模式：生產加工 | 公司類型：私營獨資企業 | |
| 所屬行業：儀器儀表加工設備 | 主要客戶：華為，中興 | |
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HUSTEC華科智源
IGBT靜態參數綜合特性測試儀資料介紹
HUSTEC-1600A-MT
IGBT綜合特性測試儀
一：主要特點 A：IGBT單管及模塊， B：大功率場效應管（Mosfet） C：大功率二極管 D：標準低阻值電阻
E：軌道交通，風力發電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業篩選以及在線故障檢測
三、華科智源IGBT測試儀系統特征： A：測量多種IGBT、MOS管 B：最大脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣； C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測量精度2mV E：Vce測量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護被測量器件 H：上位機攜帶數據庫功能 I：MOS IGBT內部二極管壓降 J : 一次測試IGBT全部靜態參數 K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產品的曲線狀態，或者不同廠家同一規格參數的曲線對比；
序號
測試項目
描述
測量范圍
分辨率
精度
1
VF
二極管正向導通壓降
0~20V
1mV
±1%,±1mV
2
IF
二極管正向導通電流
0~1200A
≤200A時,0.1A
≤200A時,±1%±0.1A
3
＞200A時,1A
＞200A時,±1%
4
Vces
集電極-發射極電壓
0~5000V
1V
±1%,±1V
5
Ic
通態集電極電流
0~1200A
≤200A時,0.1A
≤200A時,±1%±0.1A
6
＞200A時,1A
＞200A時,±1%
7
Ices
集電極-發射極漏電流
0~50mA
1nA
±1%,±10μA
8
Vgeth
柵極-發射極閾值電壓
0~20V
1mV
±1%,±1mV
9
Vcesat
集電極-發射極飽和電壓
0~20V
1mV
±1%,±1mV
10
Igesf
正向柵極漏電流
0~10uA
1nA
±2%,±1nA
11
Igesr
反向柵極漏電流
12
Vges
柵極發射極電壓
0~40V
1mV
±1%,±1mV
     
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