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6ES7902-2AG00-0AA0 陰離子的插入行為取決于電解質(zhì)中鹽和溶劑的組合和濃度以及碳的石墨化程度。首先，作者使用石墨電極作為導(dǎo)電碳模型，因?yàn)樗鼧O易受陰離子嵌入的影響，且其結(jié)構(gòu)使我們能夠輕松地分析插層反應(yīng)。如圖2A所示，作者使用石墨電極在具有不同濃度的SL型電解液中和商用1.0 M LiPF6 /碳酸亞乙酯（EC）：碳酸二甲酯（DMC）進(jìn)行了線性掃描伏安法（LSV）。 與商業(yè)的電解質(zhì)相比，在1.0 M LiBF4/SL（4.78 V對Li/Li+）中，陰離子插層的起始電位略有上升，而在接近飽和的5.8 M LiBF4/SL（4.90 V對Li/Li+）中，陰離子插層的開始電位進(jìn)一步上升（4.59 V vs.Li/Li+）。記錄的原位拉曼光譜進(jìn)一步支持了5.8 M LiBF4/SL在石墨電極的恒電流循環(huán)中抑制的陰離子嵌入（圖2A）。 為了更多地了解電解質(zhì)對陰離子嵌入的影響，使用三電極電池中的石墨電極進(jìn)行了循環(huán)伏安法（CV）測試。1.0 M LiPF6/EC：DMC和1.0 M LiBF4/SL之間的嵌入電位差異不明顯。相比之下，在5.8 M LiBF4/SL中插層勢顯著升高。 電位的這種上移與基于能斯特方程中負(fù)離子活性增加而引起的電位降低的預(yù)期相矛盾，表明存在動(dòng)力學(xué)因子。電化學(xué)阻抗譜（EIS）分析結(jié)果表明，在高鹽濃度下，陰離子插層到石墨中的界面阻力顯著增加（圖2b）。 尤其是，在5.8 M LiBF4/SL中界面陰離子轉(zhuǎn)移的活化能為59 kJ mol-1，比1.0 M LiPF6/EC：DMC（15 kJ mol-1）和1.0 M LiBF4/SL（15 kJ mol-1）的活化能高近四倍（圖2c）。這些結(jié)果表明高鹽濃度可延遲陰離子插層。
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