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廈門光沃自動化設(shè)備有限公司
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2198-h008-ers2這些嵌入式設(shè)計通常由一個微控制器和各種二級接口構(gòu)成，如電源。能夠放心且迅速簡便地選擇電源的元器件對提供可靠的更小、更經(jīng)濟(jì)的解決方案至關(guān)重要。為實現(xiàn)這一目標(biāo)，需要使用直觀的測試測量工具，快速獲得優(yōu)化結(jié)果。本文重點介紹了電源分析的實際應(yīng)用，采用特定測量技術(shù)更加高效地選擇和確定相應(yīng)的元器件。 電源分析 在本例中，我們要為開關(guān)電源選擇的電源FET。晶體管的總功率損耗主要是開關(guān)損耗，但開關(guān)損耗計算起來要困難得多。我們可以根據(jù)FET的電流和開點電阻，相對簡便地計算開關(guān)電源的靜態(tài)損耗。 因為成本和功率損耗是一對矛盾，而我們的目標(biāo)是選擇成本的部件，其總功耗不超過0.5 W。在這里，我們預(yù)先確定要測試的四個晶體管。 圖1是標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)電源的方框圖。我們使用差分探頭測量流經(jīng)晶體管的電壓，并使用電流探頭測量流經(jīng)晶體管的電流。接下來，我們將考察使用這一測試設(shè)備測得的開關(guān)損耗。
圖1 電源電路和測試設(shè)置方框圖 圖2顯示的是開關(guān)晶體管通道1的電壓（黃色軌跡）和通道4的電流（綠色軌跡），可以用來計算功率損耗。注意，平滑電感器要足夠大，以便電流在晶體管打開期間不會上升得太高。此處簡化了晶體管中的功率損耗計算過程，因為電流在打開期間上升大約不到10%，因此我們可以使用平均電流進(jìn)行計算。靜態(tài)功率損耗是平方后的電流乘以電阻，然后再乘以占空比 （I2R×占空比）。
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