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5050CT2 , CLIPSAL
5050CT2 , CLIPSAL 價格:  元(人民幣) 產地:5050CT2 , CLIPSAL
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詳細介紹

5050CT2 , CLIPSAL 

如果你仔細看了上一段的說明,你會發現實現這個功能需要至少兩個開關,一個接在用電器和300V之間,一個接在用電器和0V之間。兩個開關交替導通才可以實現PWM,這和家里的電燈只有一個開關是不太一樣的。當然,在很多應用中,可以將其中一個開關替換為二極管,另外一個開關的通斷可以自動控制二極管的通斷。

總之,我現在有了電壓、頻率都受我控制的強電了。這個強電就可以用來驅動高鐵的電機。現在高鐵使用的都是交流電機,它結構簡單且省電,但是轉速很難調整。好在它的轉速和輸入交流電源的頻率有很密切的關系,所以就可以用使用IGBT的變換器搞出電壓、頻率受控的強電,來靈活控制電機的轉速。反映到高鐵上,就是高鐵列車的車速。這就是所謂的變壓變頻控制(VVVF)。

除了高鐵,像電動汽車、變頻空調、風力發電機等很多用到交流電機的場合,都用得到IGBT及配套的這類電路來控制電機。光伏發電、電力儲能等領域,主要用IGBT進行交流電、直流電之間的轉換。

IGBT器件

IGBT的特點可以從其全稱中了解一二:絕緣柵雙極晶體管。

所謂絕緣柵,是指IGBT與MOSFET類似,作為控制的門級和功率電路部分是絕緣的,之間沒有通過導體或半導體電氣連接。門級只要出現一定的電壓,在半導體內部形成一定的電場,就可以實現IGBT的導通。

有了絕緣柵,在開關時,只需要在IGBT切換狀態的瞬時間內給門級注入/抽取一點能量,改變內部電場,就可以改變IGBT的工作狀態。這個過程很容易做的非常快速,這也是IGBT、功率MOSFET的開關速度較高的原因之一。相比之下,普通的三極管(BJT)中,控制極需要有持續的電流才能維持導通,而且當主功率電路中的電流較大時,這個電流也必須相應地變得比較大才能支持這樣的電流。

所謂雙極,是指IGBT導通時,半導體內的電子和空穴兩種粒子都參與電流傳導。就像教科書里二極管導通時電壓總是0.7V一樣,利用電導調制現象,IGBT導通時的電壓相對于大電流不。相比之下,功率MOSFET作為單極器件,其導通時類似一個小電阻,小電阻上的電壓和電流呈線性關系,因此當電流超過一定程度時,功率MOSFET上消耗的電能(電壓和電流的乘積)就太大了,限制了MOSFET的電流。另一方面,減小MOSFET中小電阻的努力會希望MOSFET的兩個功率極不要相隔太遠,但這也制約了MOSFET承受電壓的能力。

所謂晶體管,其與GTO等晶閘管有一定的區別。晶閘管的內部結構類似于兩個晶體管,依靠這兩個晶體管之間相互放大,實現了IGBT等晶體管難以實現的超大電流的傳導。但其問題在于關斷器件時,需要抽取很大的電流,讓兩個晶體管退出相互放大的狀態。這一過程需要的瞬時功率大,速度也比較慢,所以關斷晶閘管的過程會損失比較多的能量。這也是為什么GTO支持的開關頻率會明顯小于IGBT。

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IGBT結構示意圖,可簡化為一個PNP型三極管和一個N-MOSFET的組合

IGBT的結構可簡化視為一個PNP型三極管和一個N-MOSFET的組合。門及信號直接控制MOSFET的通斷,當MOSFET導通時,會持續向PNP型三極管的基極抽取電流,實現PNP三極管的導通。當MOSFET關斷時,會掐斷這一電流,從而關斷PNP三極管。

IGBT是非常成功的電力電子器件之一。當然,被IGBT一定程度取代的GTO也很成功,至今在電網級別的應用中還很廣泛。相比之下,還有很多不為人知的器件都成為了歷史中的過客。不過,近年寬禁帶半導體器件技術取得了不少突破,其中碳化硅(SiC)材料耐壓、耐溫更高,因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的電壓、電流承載能力,而無需再使用更為復雜的IGBT結構。在電動汽車、軌道交通領域,商品化的基于SiC-MOSFET的變換器已經投入市場了。當然,理論上碳化硅材料和IGBT結構也是可以結合的,其電壓、電流也會上升一個等級,或有望擠占目前硅基GTO的市場。

5050CT2 , CLIPSAL 
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