| SIEMENS TXB1.PBUS |
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價格： 元(人民幣) | 產地：SIEMENS TXB1.PBUS |
| 最少起訂量：1個 | 發貨地：SIEMENS TXB1.PBUS | |
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SIEMENS TXB1.PBUS自舉電容的設計 IGBT和PM（POWER MOSFET）具有相似的門極特性，它們在開通時都需要在極短的時間內向門極提供足夠的柵電荷。假定在器件開通后，自舉電容兩端的電壓比器件充分導通所需要的電壓（10 V，高壓側鎖定電壓為8.7／8.3 V）要高，而且在自舉電容充電路徑上有1.5 V的壓降（包括VD1的正向壓降），同時假定有1／2的柵電壓（柵極門檻電壓VTH通常3～5 V）因泄漏電流引起電壓降。那么，此時對應的自舉電容可用下式表示：
例如IRF2807充分導通時所需要的柵電荷Qg為160 nC（可由IRF2807電特性表查得），Vcc為15V，那么有：
這樣C1約為0.1 μF，設計中即可選取C1為0.22μF或更大，且耐壓大于35 V的獨石電容。 2.2懸浮驅動的最寬導通時間ton（max）確定 當最長的導通時間結束時，功率器件的門極電壓Vgs仍必須足夠高，即必須滿足式（1）的約束關系。對于MOSEFT，因為絕緣門極輸入阻抗比較高，假如柵電容（Cgs）充電后，在Vcc為15 V時有15μA的漏電流（IgQs）從C1中抽取，若仍以本文的自舉電容設計的參數為例，Qg=160 nC，△U=Vcc-10-1.5=3.5 V，Qavail=△UC=3.5x0.22=0.77μC。則過剩電荷△Q=0.77-0.16=0.61 μC，△Uc=△Q／C=0.61／0.22=2.77 V，因此可得Uc=10+2.77=12.77 V。由U=Uc及柵極輸入阻抗R為1 MΩ，即可求出t（即ton（max）為：
2.3懸浮驅動的最窄導通時間ton（min）確定 在自舉電容的充電路徑上，分布電感將會影響充電的速率。下管的最窄導通時間應保證自舉電容能夠有足夠的電荷，以滿足Gge所需要的電荷量加上功率器件穩態導通時漏電流所失去的電荷量。因此從最窄導通時間ton（min）考慮，自舉電容應足夠小。 實際上，在選擇自舉電容大小時，應當綜合考慮，既不能大到影響窄脈沖的驅動性能，但也不能太小。 2.4 自舉二極管的選擇 自舉二極管是一個重要的自舉器件。它應在高端器件開通時能阻斷直流干線上的高壓，并且應當是快恢復二極管，以減小從自舉電容向電源Vcc的回饋電荷。二極管承受的電流是柵極電荷與開關頻率之積。為了減少電荷損失，應選擇反向漏電流小的快恢復二極管。 如果電容需要長期貯存電荷，則高溫反向漏電流十分重要。二極管耐壓選擇可按后級功率MOSEFT管的要求來定，其反向恢復時間trr要小于等于100 ns，二極管所承受的電流IF=Qbsf。
SIEMENS TXB1.PBUS 140DAO84010 Quantum
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