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PARKER 890CD-53216SB0-000-1B000 平面晶體管時代，大家認為22nm就是極限，但是FinFET的出現為摩爾規律的發展續命。14年，很多人認為7nm是極限，但如今5nm已經量產。

3nm已經在研發的路上了，目前主要是臺積電和三星兩家Foundry。三星的3nm工藝會使用環繞柵極晶體管(GAA)技術，而不是現在的FinFET，新的技術可以讓芯片面積減少35%，功耗下降約50%，與5nm FinFET工藝相比，同樣功耗情況下性能提升33%。

三代晶體管的發展

GAA全能門與FinFET的不同之處在于，GAA設計圍繞著通道的四個面周圍有柵極，從而確保了減少漏電壓并且改善了對通道的控制，這是縮小工藝節點時的基本步驟，使用更高效的晶體管設計，再加上更小的節點尺寸，和5nm FinFET工藝相比能實現更好的能耗比。

而臺積電依然采用FinFET，預計2022年下半年臺積電3nm工藝就會投產。首批客戶包括蘋果，高通、英特爾、賽靈思、英偉達、AMD等。

材料

半導體行業經過近七十年的發展，半導體材料經歷了三次明顯的換代和發展。代半導體材料主要是指硅、鍺元素等單質半導體材料；第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導體材料主要分為碳化硅SiC和氮化鎵GaN，相比于、二代半導體，其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。

碳化硅（SiC）相比于硅基，碳化硅擁有更高的禁帶寬度、電導率等優良特性，更適合應用在高功率和高頻高速領域，如新能源汽車和 5G 射頻器件領域。

隨著芯片在不同領域的應用，半導體材料也在隨之發展。

架構

架構對一個芯片的性能來說也是至關重要的--以Intel最新發布的第11代酷睿處理器Rocket Lake-S為例，新的架構為其帶來了約 19% 的 IPC （每時鐘指令數）提升，以及更好的 AI 性能。

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