| 6ES7355-0VH10-0AE0 |
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價格： 元(人民幣) | 產地：6ES7355-0VH10-0AE0 |
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廈門光沃自動化設備有限公司
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6ES7355-0VH10-0AE0降低EMI的三種簡單方法 方法1：選擇傳輸最小化的隔離器 數字隔離器利用CMOS技術創建隔離屏障并在隔離屏障上傳輸信號。使用高頻RF信號跨越這些屏障傳輸信號，在許多數字隔離器中，默認輸出配置確定何時激活RF發射機。如果隔離器發送的信號通常為高電平或低電平，則只需選擇匹配的默認輸出狀態將使傳輸最小化，從而降低EMI和功耗。
圖4 對于所示的總線傳輸，默認的高數字隔離器具有較少的內部RF傳輸。 圖4說明了通過SPI總線配置，默認的低隔離器和默認的高隔離器之間的區別。選擇適當的數字隔離器后，隔離設備周圍的組件現在可以針對EMI進行優化。 方法2：選擇正確的旁路電容 幾乎每個數字隔離器都規定在電源引腳上使用旁路電容器，這會對系統的EMI性能產生巨大影響。旁路電容器通過在瞬態負載期間向器件提供額外的電流來幫助減少電源軌上的噪聲尖峰。此外，旁路電容器將交流噪聲對地短路，并防止其進入數字隔離器。 理想情況下，電容器的阻抗隨頻率降低。然而，在現實世界中，由于有效串聯電感（ESL），電容器的阻抗在自諧振頻率處開始增加。如圖5所示，降低電容器的ESL會提高自諧振頻率，并且電容器的阻抗開始增加。
圖5 實際電容器模型以及非理想電容器中的阻抗與頻率的關系。 通常，較小尺寸的電容器（例如0402）具有較低的ESL，因為ESL取決于兩個電容器末端之間的距離。如圖6所示，反向幾何電容器提供了更低的ESL，盡管如此，即使采用的ESL，旁路電容器的放置也起著至關重要的作用。
圖6 反向幾何電容器（右）提供的ESL低于標準電容器（左）。 方法3：優化旁路電容器的位置 正確放置旁路電容器與選擇低ESL電容器一樣重要，因為PCB上的走線和過孔會引入串聯電感。跡線的串聯電感隨長度增加，因此理想的是短跡線和寬跡線。同樣，到數字隔離器的接地引腳的返回路徑的長度會增加額外的串聯電感。 只需改變電容器使其靠近電源和接地引腳，通常會減小返回路徑的長度。圖7說明了旁路電容器的理想位置和非理想位置。使用這些技術選擇低ESL電容器并優化PCB設計將程度地降低旁路電容器的EMI。
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