| IFM IV5025 |
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價格： 元(人民幣) | 產地：IFM IV5025 |
| 最少起訂量：1個 | 發貨地：IFM IV5025 | |
| 上架時間：2021-06-07 11:23:31 | 瀏覽量：50 | |
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IFM IV5025幾乎每個數字隔離器都規定在電源引腳上使用旁路電容器，這會對系統的EMI性能產生巨大影響。旁路電容器通過在瞬態負載期間向器件提供額外的電流來幫助減少電源軌上的噪聲尖峰。此外，旁路電容器將交流噪聲對地短路，并防止其進入數字隔離器。 理想情況下，電容器的阻抗隨頻率降低。然而，在現實世界中，由于有效串聯電感（ESL），電容器的阻抗在自諧振頻率處開始增加。如圖5所示，降低電容器的ESL會提高自諧振頻率，并且電容器的阻抗開始增加。
圖5 實際電容器模型以及非理想電容器中的阻抗與頻率的關系。 通常，較小尺寸的電容器（例如0402）具有較低的ESL，因為ESL取決于兩個電容器末端之間的距離。如圖6所示，反向幾何電容器提供了更低的ESL，盡管如此，即使采用的ESL，旁路電容器的放置也起著至關重要的作用。
圖6 反向幾何電容器（右）提供的ESL低于標準電容器（左）。 方法3：優化旁路電容器的位置 正確放置旁路電容器與選擇低ESL電容器一樣重要，因為PCB上的走線和過孔會引入串聯電感。跡線的串聯電感隨長度增加，因此理想的是短跡線和寬跡線。同樣，到數字隔離器的接地引腳的返回路徑的長度會增加額外的串聯電感。 只需改變電容器使其靠近電源和接地引腳，通常會減小返回路徑的長度。圖7說明了旁路電容器的理想位置和非理想位置。使用這些技術選擇低ESL電容器并優化PCB設計將程度地降低旁路電容器的EMI。
圖7 比較了旁路電容器的理想位置和非理想位置。 這些基本的降低EMI原理和技術為設計可滿足CISPR 25及更高要求的汽車系統提供了基礎。隨著越來越多的車輛系統添加復雜的電子設備以及電動汽車變得越來越先進，EMI仍將是主要關注的問題。 隨著電動汽車系統采用更高的電壓來提高效率，對隔離的需求還將繼續增長。通過考慮EMI并預先應用實踐，高壓隔離汽車系統將可以滿足當今和未來的EMI要求。
IFM IV5025 TSXDSY32T2K Premium 開關量輸出,32點,24VDC0.1A,隔離,HE10高密
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