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全自動硅片混酸擇優腐蝕設備應用于6、8寸半導體硅片的腐蝕加工設備。該設備完成硅片上料、定心尋參、腐蝕、清洗、下料等加工過程，采用干入濕出的硅片流轉方式。實現藥液的自動補充。
全自動硅片混酸擇優腐蝕設備自動化程度高,腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體(槽體部分/管路部分等),移動機械傳送裝置,CDS系統,抽風系統,電控及操作臺等部分組成; 進口 透明PVC活動門(對開/推拉式),保證設備外部環境符合勞動保護的相關標準,以保證設備操作人員及其周圍工作人員的身體健康;機械臂定位精度高;整體設備腐蝕漂洗能力強,性能穩定,安全可靠;設備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術先進,結構合理,適宜生產線上大批次操作。
全自動硅片混酸擇優腐蝕設備特點：
適用于6-8”硅片的去邊處理
具有兩套硅片上料線，由機器人把硅片從上料端搬運到尋參定位中心位置
用真空吸盤吸附的方式進行硅片的搬運

全自動硅片混酸擇優腐蝕設備在下料位由獨立的下料槽，片籃可上下移動，人工手提片籃下料。
由PLC控制，各部分均可以獨立操作
采用國際 的電氣元件
外框采用優質聚丙烯磁白PP板經雕刻后熱彎/焊接組合加工而成，控制模式:手動/自動控制模式;
全自動硅片混酸擇優腐蝕設備被清洗硅芯尺寸: 硅芯: 2600—2800 mm x∮10 mm圓形硅芯；2600 –2800mm x∮150 mm圓形硅棒, 硅芯每次多可清洗硅芯24根/批；
腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體(槽體部分/管路部分等),移動機械傳送裝置，抽風系統,電控及操作臺等部分組成;提籃設計精巧，槽體間轉移時將殘留液體降到；機械臂的橫向移動和縱向提升均采用進口伺服馬達，閉環控制，定位精度高，可靠性高；
全自動硅片混酸擇優腐蝕設備外形尺寸、生產能力等根據客戶具體要求確定。

是一種刻蝕方法，主要在較為平整的膜面上刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射，刻蝕可用稀釋的鹽酸等濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術。簡單來說，江硅片，就是中學化學課中化學溶液腐蝕的概念，它是一種純化學刻蝕，具有優良的選擇性，刻蝕完當前薄膜就會停止，而不會損壞下面一層其他材料的薄膜。由于所有的半導體濕法刻蝕都具有各向同性，所以無論是氧化層還是金屬層的刻蝕，橫向刻蝕的寬度都接近于垂直刻蝕的深度。這樣一來，上層光刻膠的圖案與下層全自動硅片混酸擇優腐蝕設備材料上被刻蝕出的圖案就會存在一定的偏差，也就無法高質量地完成圖形轉移的工作，因此隨著特征尺寸的減小，在圖形轉移過程中基本不再使用。目前，濕法刻蝕一般被用于工藝流程前面的晶圓片準備、清洗等不涉及圖形的環節，而在圖形轉移中干法刻蝕已占據主導地位。

全自動硅片混酸擇優腐蝕設備超聲波清洗原理是通過換能器將高頻超聲波聲能轉換成高頻機械振蕩，清洗槽內的液體被每秒幾萬次高頻機械振蕩作用下，液體中形成高頻聲壓，不斷在液體中輻射傳播。液體在高頻交替變化作用下形成數以萬計的空化泡，并在內部發生快速爆裂撞擊污物表層，污物被層層破壞和剝離，從而達到清洗效果。
全自動硅片混酸擇優腐蝕設備化學清洗槽（也叫酸槽/化學槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸堿液體按一定比例配置，目的是為了去除雜質，去離子，去原子，后還有DI清洗。IPA是，就是工業酒精，是用來clean機臺或parts的，硅片刻蝕臺，是為了減少partical的。
全自動硅片混酸擇優腐蝕設備通用超聲波清洗機清洗零件實用性強，已遍及使用于電子、鐘表、光學、機器、汽車、航空、原子能財制作、等許多行業。 超聲波清洗機通常安設在某些特定物件清洗的生制作流水線上。 楷模的軟磁器件超聲波清洗設施，被清洗物件從進料口可傳動的不銹鋼網帶送人超聲波清洗槽清洗，硅片腐蝕臺，再經噴淋、烘干等工序后出料，實現被清洗物件可直接包裝入庫。
各工序簡要說明以下：

全自動硅片混酸擇優腐蝕設備進料：物件進料可采用半踴躍進料或出料：物件出料可采用踴躍收料或手工收料法子，格被清洗物件裝入包裝盒內。 經過上述工序就完成為了物件實現利用超聲波清洗的全過程。 目前，還有一種超聲汽相清洗機，它是選用·溶劑作清洗液，具有極強的溶解污垢的才干，用于清洗半導體晶片等凈治度申請特別高的物件。
清洗缸：清洗缸是用來裝載清洗液及被清洗工件的不銹鋼容器，大多數工件可先裝在網狀框架內，再一同放人缸內清洗。