氣體傳感器介紹溫度對(duì)傳感器靈敏度有影響。下左為SnO2氣敏器件對(duì)氣體溫度電阻特性曲線。由可見(jiàn)，器件在不同溫度下對(duì)氣體靈敏度不同，利用這一特性識(shí)別氣體。 制備工藝對(duì)SnO2氣敏特性也有很大影響。如在SnO2中添加ThO2，改變燒結(jié)溫度和加熱溫度就產(chǎn)生不同氣敏效應(yīng)。
氣體傳感器種類非電阻型也是一類較為常見(jiàn)半導(dǎo)體氣敏器件，這類器件方便，無(wú)需設(shè)置溫度，易于集成，得到廣泛。有結(jié)型和MOSFET型兩種。 結(jié)型氣敏傳感器件又稱氣敏二極管，這類氣敏器件是利用氣體改變二極管整流特性來(lái)。其如下左所示。它是：Pd對(duì)氫氣具有性，它與半導(dǎo)體接觸形成接觸勢(shì)壘。當(dāng)二極管加正向偏壓時(shí)，從半導(dǎo)體流向金屬電子將增加，因此正向是導(dǎo)通。
氣體傳感器描述氣敏二極管特性曲線左移看作二極管導(dǎo)通電壓發(fā)生改變，這一特性如果發(fā)生在場(chǎng)效應(yīng)管柵極，將使場(chǎng)效應(yīng)管閾值電壓UT改變。利用這一制成MOSFET型氣敏器件。 氫氣敏MOSFET是典型氣敏器件，它用金屬鈀Pd制成鈀柵。在含有氫氣氣氛中，由于鈀催，氫氣分子成氫原子擴(kuò)散到鈀與二氧硅界面，終導(dǎo)致MOSFET閾值電壓UT發(fā)生變。時(shí)常將柵漏短接，MOSFET在飽和區(qū)，此時(shí)漏極電流ID=βUGS—UT2，利用這一電路測(cè)出氫氣濃度。
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