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  LED燈珠封裝原材料芯片結構:LED燈珠芯片是半導體發光器件LED燈珠的核心部件，它主要由砷(AS)、鋁(AL)、鎵(Ga)、銦(IN)、磷(P)、氮(N)、鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成。面高品級發光二極管品牌科特翎科技為大家講解LED燈珠封裝原材料芯片結構的知識普及，供大家參考!

  LED芯片按發光亮度分類可分為：

  一般亮度：R(紅色GAaAsP 655nm)、H ( 高紅GaP 697nm )、G ( 綠色GaP 565nm )、Y ( 黃色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等。

  高亮度：VG (較亮綠色GaP 565nm )、VY(較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 較亮紅色GaA/AS 660nm )。

  超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。

  芯片按組成元素可分為：

  二元晶片(磷﹑鎵)：H﹑G等。

  三元晶片(磷﹑鎵 ﹑砷)：SR(較亮紅色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮紅色GaAlAs 660nm)、UR(最亮紅色GaAlAs 660nm)等。

  四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦)：SRF( 較亮紅色 AlGalnP )、HRF(超亮紅色 AlGalnP)、URF(最亮紅色 AlGalnP 630nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黃色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黃色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黃色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮綠色 AIGalnP 574nm) LED等。

  發光二極管芯片制作方法和材料的磊晶種類：

  1、LPE：液相磊晶法 GaP/GaP。

  2、VPE：氣相磊晶法 GaAsP/GaAs。

  3、MOVPE：有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN。

  4、SH：單異型結構 GaAlAs/GaAs。

  5、DH：雙異型結構 GaAlAs/GaAs。

  6、DDH：雙異型結構 GaAlAs/GaAlAs。

不同LED芯片，其結構大同小異，有外延用的芯片基板( 藍寶石基板、碳化硅基板等) 和摻雜的外延半導體材料及透明金屬電極等構成。

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