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涂層的PVD技術(shù)：

增強(qiáng)型磁控陰極弧：陰極弧技術(shù)是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積。增強(qiáng)型磁控陰極弧利用電磁場(chǎng)的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效的控質(zhì)，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。

過濾陰極弧：過濾陰極�。�FCA）配有高效的電磁過濾系統(tǒng)，可將離子源產(chǎn)生等離子體中的宏觀粒子，離子團(tuán)過濾干凈，經(jīng)過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過濾掉大顆粒，因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機(jī)體的結(jié)合力很強(qiáng)。

磁控濺射：在真空環(huán)境下，通過低電壓和磁場(chǎng)的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對(duì)靶材進(jìn)行轟擊，致使靶材以離子，原子或分子的形式被彈出并沉積在基材上形成薄膜。根據(jù)使用的電力電源的不同，導(dǎo)體和非導(dǎo)體材料均可作為靶材被濺射。

離子束DLC：碳?xì)錃怏w在離子源中被離化成等離子體，在電磁場(chǎng)的作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過調(diào)整在上的電壓控制，碳?xì)潆x子束被引到基材上，沉積速度與離子電流密度成正比。德耐涂層的離子束采用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結(jié)合力很好，離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)在于可沉積薄膜以及多層結(jié)構(gòu)，工藝控制精度可達(dá)0.5微米，并可將工藝過程中的顆粒污染所帶來(lái)的缺陷降至最小。

真空膜的特點(diǎn)：

能在金屬，半導(dǎo)體，絕緣體甚至塑料，紙張，織物表面上沉積金屬，半導(dǎo)體，絕緣體，不同成分比的合金，化合物及部分有機(jī)聚合物等的薄膜，其適用范圍之廣是其他方法無(wú)法與之比擬的；可以不同的沉積速度，不同于基板溫度和不同的蒸汽分子入射角蒸鍍成膜，因而可得到不同顯激結(jié)構(gòu)和結(jié)晶形態(tài)（單晶，多晶或非晶體等）的薄膜；

薄膜的純度很高；

易于在線檢測(cè)和控制薄膜的厚度與成分。厚度控制精度最高可達(dá)單分子層量級(jí)；

排出污染物很少且基本上沒有。