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技術數(shù)據(jù)

		SIMATIC S7，RAM 存儲卡 針對 S7-400，長結構形式， 64 Kbyte
存儲器
存儲器類型專賣全新西門子RAM 存儲卡，用于S7-400		RAM
存儲器大小		64 kbyte
附件
屬于產品		S7-400
重量
重量，約		52 g
上一次修改：		2018/10/26

滿量程范圍（數(shù)據(jù)字） -27,648 － 27,648
過沖 / 下沖范圍
（數(shù)據(jù)字）專賣全新西門子RAM 存儲卡，用于S7-400
電壓：32,511 － 27,649/-27,649 － -32,512
電流：32,511 － 27,649/0 － -4864
電壓：32,511 － 27,649/-27,649 － -32,512
電流：(0-20 mA)：32,511 － 27,649/0 － -4,864；
4 － 20 mA：32511 － 27,649/-1 － -4,864
上溢 / 下溢（數(shù)據(jù)字） 電壓：32,767 － 32,512/-32,513 － -32,768
電流：32,767 － 32,512/-4865 － -32,768
電壓： 32,767 － 32,512/-32,513 － -32,768
電流： 0 － 20 mA：32,767 － 32,512/-4,865 － -32,768
4 － 20 mA：32,767 － 32,512/-4,865 － -32,768
精度 12 位 + 符號位 15 位 + 符號位
最大耐壓 / 耐流 ±35 V/±40 mA專賣全新西門子RAM 存儲卡，用于S7-400
平滑 無、弱、中或強
噪聲抑制 400、60、50 或 10 Hz
阻抗 ≥ 9 MΩ（電壓）/250 Ω（電流） ≥ 1 MΩ（電壓）/<315 Ω，>280 Ω（電流）
隔離（現(xiàn)場側與邏輯側） 無專賣全新西門子RAM 存儲卡，用于S7-400
精度（25 ?C/0 － 55 ?C） 滿量程的 ±0.1 %/±0.2 % 滿量程的 ±0.1%/±0.3%
模數(shù)轉換時間 625μs（400 Hz 抑制）
共模抑制 40 dB，DC － 60 Hz
工作信號范圍 信號加共模電壓必須小于 +12 V 且大于 -12 V
電纜長度（米） 100 米，屏蔽雙絞線

表2-3參數(shù)應答數(shù)據(jù)結構

表 2-4 參數(shù)應答結構字段說明