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貼片電容介紹：

貼片電容名片式積層電容是一次性高溫燒結而成的也是由印好電極（內電極）的陶瓷介質膜片以錯位的方式疊合而成。

貼片電容內部結構簡介：

貼片電容主要包括三大部分：陶瓷介質、內電極、端電極.其中陶瓷介質的主要作用是在電場作用下，極化介電儲能。當電場變化時極化率相應發生變化時，由于不同介質種類的主要極化類型不同，其對電場變化的響應速度和極化率也不相同。

電極分為內電極與端電極。其中內電極位于貼片電容器內部，主要提供電極板正對面積，它與介質一般是交替疊放。

貼片電容是一種小型電容器，它的封裝規格有0201 0402 0603 0805 1206等幾種，材質有X7R Z5U Y5V NPO四種，最常用的是X7R與NPO材質說明可關注我其它文章。

今天我們講解貼片電容M檔與Z檔的區別首先我們要知道M與Z的意思，其中M代表±20%的容量誤差，Z代表正80%負20%的容量誤差。

例：0805 10uf電容，如果M檔則表示誤差在8uf-12uf之間浮動，Z檔則為8uf-18uf之間浮動。

貼片電容簡介：

全稱：多層（積層、疊層）片式陶瓷電容器，也稱為貼片電容、片容，英文縮寫：MLCC

主要規格尺寸，按英制標準分為：02010402060308051206以及大規格的1210180818122220222530123035等。

容量范圍：0.5pF100uF其中，一般認為容量在1uF以上為大容量電容。

額定電壓：從4V4KVDC當額定電壓在100V及以上時，即歸納為中高壓產品。

片式電容的穩定性及容量精度與其采用的介質資料存在對應關系，主要分為三大類別。

貼片電容0805系列厚度一般為0.85或者1.25，但是我司可制造1.0特殊厚度，如有需要請提前預訂。

貼片電容介質是以COG/NPO為I類介質的高頻電容器，其溫度系數為±30ppm/℃，電容量非常穩定，幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化，主要應用于 高頻電子線路，如振蕩、計時電路等;其容量精度主要為±5，以及在容量低于10pF時，可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。

以X7R為II類介質的中頻電容器，其溫度系數為±15，電容量相對穩定，適用于各種旁路、耦合、濾波電路等，其容量精度主要為K檔(±10)。特殊情況下，可提供J檔(±5)精度的產品。

不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內;圓片型瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤型瓷介可達3000MHZ;小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。

以Y5V為III類介質的低頻電容器，其溫度系數為：+30～-80，電容量受溫度、電壓、時間變化較大，一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80～-20)，也可選擇±20精度的產品。

貼片電容介質強度表征的是介質材料承受高強度電場作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當外電場強度達到某一臨界值時,材料晶體點陣中的電子克服電荷恢復力的束縛并出現場致電子發射,產生出足夠多的自由電子相互碰撞導致雪崩效應,進而導致突發擊穿電流擊穿介質,使其失效.除此之外,介質失效還有另一種模式,高壓負荷下產生的熱量會使介質材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個程度上延續足夠長的時間,將會在介質最薄弱的部位上產生漏電流.這種模式與溫度密切相關,介質強度隨溫度提高而下降.

任何絕緣體的本征介質強度都會因為材料微結構中物理缺陷的存在而出現下降,而且和絕緣電阻一樣,介質強度也與幾何尺寸密切相關.由于材料體積增大會導致缺陷隨機出現的概率增大,因此介質強度反比于介質層厚度.類似地,介質強度反比于片式電容器內部電極層數和其物理尺寸.基於以上考慮,進行片式電容器留邊量設計時需要確保在使用過程中和在進行耐壓測試(一般為其工作電壓的2.5倍)時,不發生擊穿失效. 介質強度

正確選擇一顆貼片電容時，除了要提供其規格尺寸及容量大小外，還必須特別注意到電路對這顆片式電容的溫度系數、額定電壓等參數的要求。貼片電容標準命名方法及定義：貼片電容的命名，國內和國外的產家有一此區別但所包含的參數是一樣的。

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