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機房空調(diào)氟利昂壓縮機故障講解和解決方法-純干貨
華為UPS電源安裝售后維修
怎樣才能做好機房屏蔽 工程中實用的表征材料屏蔽效能的公式為:SE=A+R(dB) 在近場區(qū),孔洞的泄漏還與輻射源的特性有關(guān).當輻射源是電場源時,孔洞的泄漏比遠場時小(屏蔽效能高),而當輻射源是磁場源時,孔洞的泄漏比遠場時要大(屏蔽效能低).近場區(qū),孔洞的電磁屏蔽計算公式為: 用這個定義式只電磁屏蔽能測試屏蔽材料的屏蔽效能,而無法確定應(yīng)該使用什么材料做屏蔽體.要確定使用什么材料制造屏蔽體,需要知道材料的屏蔽效能與材料的什么特性參數(shù)有關(guān)。 R=20lg(ZW/ZS)(dB)電磁屏蔽 SE=100-20lgL-20lgf+20lg[1+2.3lg(L/H)](dB) 一般除了低頻磁場外,大部分金屬材料可以提供1電磁屏蔽00dB以上的屏蔽效能.但在實際中,常見的情況是金屬做成的屏蔽體,并沒有這么高的屏蔽效能,甚至幾乎沒有屏蔽效能.這是因為許多設(shè)計人員沒有了解電磁屏蔽的關(guān)鍵。 ·同一種屏蔽材料,對于不同的電磁波,屏蔽效能使不同的,對電場波的屏蔽效能最高,對磁場波的屏蔽效能最低,也就是說,電場波最容易屏蔽,磁場波最難屏蔽; ·屏蔽電場波時,使用導(dǎo)電性好的材料,屏蔽磁場波時,使用導(dǎo)磁性好的材料; 在保護的空間內(nèi),當采用屏蔽電纜時其屏蔽層應(yīng)至少兩端并在防雷區(qū)交界處做等電位連接,當系統(tǒng)要求只在一端做等電位連接時,應(yīng)采用雙層屏蔽.引入到遠動機房的非屏蔽線纜應(yīng)敷設(shè)在金屬管道內(nèi),實現(xiàn)導(dǎo)電貫通,并連接到共用接地體上.所選用的金屬管道最好采用鐵管。 若L≥λ/2,SE=0(dB) 1、機房電磁電磁屏蔽的產(chǎn)生與危害 SE=48+20lgZC-20lgL·f+20lg[1+2.3lg(L/H)] 電磁屏蔽是解決電磁兼容問題的重電磁屏蔽要手段之一.大部分電磁兼容問題都可以通過電磁屏蔽來解決.用電磁屏蔽的方法來解決電磁干擾問題的最大好處是不會影響電路的正常工作,因此不需要對電路做任何修改。 式中,Zw=電磁波的波阻抗,Zs=屏蔽材料的特性阻抗。 在機房的四周(靜電地板下面)用3X35的紫銅帶繞機房四周一圈,并且與接地線緊固連接。 式中:Zc=輻射源電路的阻電磁屏蔽屬網(wǎng)格做為屏蔽層,用金屬網(wǎng)格罩住窗戶。 ·一般情況下,材料的導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性越好,屏蔽效能越高; 根據(jù)機房實際情況設(shè)計了微孔防塵屏蔽天花板,并采用配套的輕鋼龍骨.設(shè)計具有質(zhì)輕、防火、防潮、吸音、防塵等性能,不但可以很好屏蔽電磁的干擾,而且可以配合防眩光燈盤不會產(chǎn)生眩光。 9、等電位連接與地網(wǎng)電磁屏蔽電磁干擾的綠色安全空間。 SE=20lg(E1/E2)(dB) 7、布設(shè)機房等電位匯流排與地網(wǎng) 式中各量:L=縫隙的長度(mm),H=縫隙的寬電磁屏蔽度(mm),f=入射電磁波的頻率(MHz)。 2、怎樣做好電磁屏蔽? 8、線路屏蔽。 對于一個厚度為0材料上的孔洞,在遠場區(qū)中,最壞情況下(造成最大泄漏的極化方向)的屏蔽效能(實際情況下屏蔽效能可能會更大一些)計算公式為: 6、天花板墻面的屏蔽處理 計算機在使用過程中能在元器件表面積聚大量的靜電電荷.最典型的就是顯示器在使用過后用手去觸摸顯示屏幕就會發(fā)生劇烈的靜電放電現(xiàn)象,這就是顯示器屏幕上的電荷與我們?nèi)梭w上所帶異號電荷發(fā)生中和時所產(chǎn)生的靜電放電現(xiàn)象,至于靜電放電的定義,這里就不再敘述,有興趣的讀者可以自行查閱資料.由于靜電放電過程是電位、電流隨機瞬間變化的電磁輻射,所以,不管是放電能量較小的電暈放電,還是放電能量較大的火花式放電,都可以產(chǎn)生電磁輻射.而我們在前面已經(jīng)提到計算機本身包含有大量的高電磁靈敏度的電路以及元器件,所以,在使用過程中如果遇到靜電放電現(xiàn)象(ESP),出現(xiàn)的后果是不可預(yù)測的.靜電放電現(xiàn)象對計算機的危害可分為硬性損傷和軟性損傷,硬性損傷就是指由于ESP過于強烈而導(dǎo)致的如顯卡、CPU、內(nèi)存等電磁靈敏度很高的元器件被擊穿,從而無法正常工作甚至徹底電磁屏蔽報廢.靜電放電所造成的硬性損傷的破壞程度主要取決于靜電放電的能量及元器件的靜電敏感度,也和危害源與敏感器件之間的能量耦合方式,相互位置有關(guān).軟性損傷則是指由于靜電放電時產(chǎn)生的電磁干擾(其電磁脈沖頻譜可達Mhz~Ghz)造成的存儲器內(nèi)部存儲錯誤、比特數(shù)位移位,從而產(chǎn)生如死機、非法操作、文件丟失、硬盤壞道產(chǎn)生等隱性錯誤,相對于硬性損傷,它更難被發(fā)現(xiàn)。 其次,機箱上總是會有電纜穿電磁屏蔽出(入),至少會有一條電源電纜.這些電纜會極大地危害屏蔽體,使屏蔽體的屏蔽效能降低數(shù)十分貝.妥善處理這些電纜是屏蔽設(shè)計中的重要內(nèi)容之一(穿過屏蔽體的導(dǎo)體的危害有時比孔縫的危害更大)。 SE=20lg[(D/L)+20lg(1+2.3lg(L/H)] ·屏蔽電場波時,屏蔽體盡量靠近輻電磁屏蔽射源,屏蔽磁場源時,屏蔽體盡量遠離磁場源; 電磁波的波阻抗定義為電場分量與磁場分量的比值:Zw=E/H.在距離輻射源較近(<λ/2π,稱為近場區(qū))時,波阻抗的值取決于輻射源的性質(zhì)、觀測點到源的距離、介質(zhì)特性等.若輻射源為大電流、低電壓(輻射源電路的阻抗較低),則產(chǎn)生的電磁波的波阻抗小于377,稱為低阻抗波,或磁場波.若輻射源為高電壓,小電流(輻射源電路的阻抗較高),則波阻抗大于377,稱為高阻抗波或電場波.關(guān)于近場區(qū)內(nèi)波阻抗的具體計算公式本文不予論述,以免沖淡主題,感興趣的讀者可以參考有關(guān)電磁場方面的參考書.當距離輻射源較遠(>λ/2π,稱為遠場區(qū))時,波波阻抗僅與電場波傳播介質(zhì)有關(guān),其數(shù)值等于介質(zhì)的電磁屏蔽特性阻抗,空氣為377Ω.屏蔽材料的阻抗計算方法為: 從上面幾個公式,就可以計算出各種屏蔽材料的屏蔽效能了,為了方便設(shè)計,下面給出一些定性的結(jié)論。 timereleaseVitaminC;首先,需要了解的是電磁屏蔽與屏蔽體接地與否并沒有關(guān)系.這與靜電場的屏蔽不同,在靜電中,只要將屏蔽體接地,就能夠有效地屏蔽靜電場.而電磁屏蔽卻與屏蔽體接地與否無關(guān),這是必須明確的。 ·在近場區(qū)設(shè)計屏蔽時,要分別考慮電場波和磁場波的情況; 式中的R稱為屏蔽材料的反射損耗,是當電磁波入射到不同媒質(zhì)的分界面時發(fā)生的,計算公式為: 屏蔽體的有效性用屏蔽效能來度量.屏蔽效能是沒有屏蔽時空間某個位置的場強E1與有屏蔽時該位置的場強E2的比值,它表征了屏蔽體對電磁波的衰減程度.用于電磁兼容目的的屏蔽體通常能將電磁波的強度衰減到原來的百分之一至百萬分之一,因此通常用分貝來表述屏蔽效能,這時屏蔽效能的定義公式為: 電磁屏蔽的關(guān)鍵點有兩個,一個是保證屏蔽體的導(dǎo)電連續(xù)性,即整個屏蔽體必須是一個完整的、連續(xù)的導(dǎo)電體.另一點是不能有穿過機箱的導(dǎo)體.對于一個實際的機箱,這兩點實現(xiàn)起來都非常困難。 若ZC>(7.9/D·f): 式中的A稱為屏蔽材料的吸收損耗,是電磁波在屏蔽材料中傳播時發(fā)生的,計算公式為: 有一種情況需要特別注意,這就是1kHz以下的磁場波.這種磁場波一般由大電流輻射源產(chǎn)生,例如,傳輸大電流的電力線,大功率的變壓器等.對于這種頻率很低的磁場,只能采用高導(dǎo)磁率的材料進行屏蔽,常用的材料是含鎳80%左右的坡莫合金。 若Zc<(7.9/D·f): 選擇屏蔽材料 A=3.34t(fμrσr)(dB) |ZS|=3.68*10-7(fμr/σr)(Ω) t=材料的厚度,μr=材料的磁導(dǎo)率,σr=材料的電導(dǎo)率,對于特定的材料,這些都是已知的.f=被屏蔽電磁波的頻率。 首先,一個實用的機箱上會有很多孔洞和孔縫:通風(fēng)口、顯示口、安裝各種調(diào)節(jié)桿的開口、不同部分結(jié)合的縫隙等.屏蔽設(shè)計的主要內(nèi)容就是如何妥善處理這些孔縫,同時不會影響機箱的其他性能(美觀、可維性、可靠性)。 f=入射電磁波的頻率(Hz),μr=相對磁導(dǎo)率,σr=相對電導(dǎo)率 孔洞和縫隙的電磁泄漏與對策 當電磁波入射到一個孔洞時,其作用相當于一個偶極天線(圖1),當孔洞的長度達到λ/2時,其輻射效率最高(與孔洞的寬度無關(guān)),也就是說,它可以將激勵孔洞的全部能量輻射出去。 |
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