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芯片特性：

1.介紹：

EN8F630 是低成本、高性能、8 位、全靜態(tài)flash 的CMOS 單片機(jī)。采用RISC 架構(gòu)，僅有37 條單字/ 單周期指令。除程序跳轉(zhuǎn)指令為兩個周期外的所有其他指令都是單周期的。EN8F630 器件的性能比同價位的同類產(chǎn)品要高出很多。易于使用且便于記憶的指令集大大縮短了開發(fā)時間。

2.構(gòu)架描述：

高性能RISC CPU：

? 采用RISC 架構(gòu)，僅有37 條單指令

（除程序跳轉(zhuǎn)指令外的所有其他指令都是單周期指令,程序跳轉(zhuǎn)指令是雙周期指令）

? 8 級深的硬件堆棧

? 14 位寬指令集, 8 位寬的數(shù)據(jù)路徑

? 可擦寫flash 芯片，片內(nèi)閃存（ROM）為1K 字，數(shù)據(jù)存儲容量（RAM）為64 字節(jié)

? EEPROM 大小為128 字節(jié)

? 數(shù)據(jù)和指令的直接、間接和相對尋址模式

? PA0~5 可睡眠喚醒，且可通過軟件獨(dú)立設(shè)置內(nèi)部上拉

? 工作電壓2.0V~5.5V

? 有可選電源低壓檢測，欠壓復(fù)位功能（PED），三級欠壓復(fù)位

? 有中斷功能

? 定時器0：帶3 位預(yù)分頻器8Bit 定時器

? 定時器1：帶2 位預(yù)分頻器16Bit 定時器

? 1 個模擬比較器模塊

? 自振式看門狗定時器

? 12 個可獨(dú)立直接控制I/O 口

? 工作速度：內(nèi)部4M/8M 振蕩器

單片機(jī)的特性：

? 上電復(fù)位（Power-on Reset,POR）

? 低電壓檢測(LVD)和欠壓復(fù)位(BOR)

? 上電復(fù)位（Power-on Reset,POR）

? 具有專用片內(nèi)RC 振蕩器的看門狗定時器（WDT），能夠可靠地工作

? 代碼保護(hù)功能

? 獨(dú)立的可編程弱上拉功能

? 節(jié)省功耗的休眠模式

? 可選的振蕩器選項(xiàng)：

- IRC：4M/8MHz 內(nèi)部振蕩器

- RC：廉價RC 震蕩器

- LFXT：低頻晶體振蕩器

- XTAL：標(biāo)準(zhǔn)晶體振蕩器

? 高耐久性的閃存/EEPROM 存儲單元

-閃存耐寫次數(shù)達(dá)到100,000 次

-EEPROM 耐寫次數(shù)達(dá)到1,000,000 次

-閃存/數(shù)據(jù)EEPROM 的數(shù)據(jù)保存期>40 年

低功耗特性CMOS 技術(shù)：