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　　工廠轉讓10臺9成新 瑞德品牌13B

　　主要技術參數

　　2.1、上下盤尺寸（外徑×內徑×厚度）：Φ914mm×Φ368mm×40mm

　　2.2、游星輪規格： DP12 Z=147 α=20°

　　2.3、游星輪數量： 6個

　　2.4、最小加工厚度： 0.20mm

　　2.5、下盤轉速： 0～50rpm

　　2.6、主電機： 7.5kW AC380V 1460rpm

　　2.7、氣源壓力: 0.5-0.6MPa

　　2.8、設備外形尺寸： 1800mm×1300mm×2700mm

　　2.9、設備質量： 約3000kg

　　設備的安裝及使用條件

　　4.1、設備箱體上裝有四個起吊柱，專門用于設備搬運時吊裝，設備應安裝在地面平坦，遠離振動源，無灰塵煙霧污染的場所。

　　設備安裝的條件為：

　　a、溫度10℃-25℃

　　b、相對濕度≤95

　　c、電源電壓380±38V（三相五線制）

　　d、壓縮空氣源 0.5-0.6MPa

　　4.2、設備可直接放在地板上，調整六個地腳螺栓可校正設備的水平，校正時，用水平儀在下拋盤上檢測（即在相互垂直的兩個方向上檢測、校正），其水平應調至0.06/1000mm。

　　整機精度指標

　　5.1、上下拋光盤平面度：≤0.02mm

　　5.2、下拋光盤端面跳動允差：≤0.06mm

　　用途和特點

　　1.1、本設備主要用于光學玻璃、陶瓷、電子材料及硅、鍺、計算機磁盤等金屬、非金屬硬脆材料的雙面高精度研磨加工。

　　1.2、整機采用龍門結構，主體采用箱形結構，整體穩定性高，剛性好。

　　1.3、本機可以對兩平行平面的玻璃晶片或其它機械零件進行雙面高精度研磨加工，特別是薄脆性材料的加工，由于采用對工件非強制約束方式，因此在研磨過程中零件不易破損。

　　拋光機的工作原理是：拋光臺上表面裝有拋光墊并旋轉，硅片夾持在拋光頭承載器中碎拋光頭承載器的運動壓緊到拋光墊上并旋轉和擺動。同時向拋光墊與硅片接觸的區域澆注拋光液，拋光液中的化學溶液將硅片表面層腐蝕成松軟的物質，同時拋光液中的氧化鋁等磨料作為研磨劑，利用拋光墊與硅片之間摩擦作用去除硅片表面的腐蝕層，這樣在不斷的化學腐蝕和機械去除的綜合作用下，不斷將硅片表面的細微去除，從而達到拋光效果：

　　拋光墊修整器是安裝有毛刷或端面金剛石磨輪的機構，通過旋轉、向下加壓并擺動，來清理拋光墊表面沉積物或修整拋光墊表面，以維持拋光墊的去除率，在專欄文章《六維度拆解安集科技：拋光液打破美日壟斷，攜手鼎龍股份自主可控》一文中筆者對拋光液、拋光墊及拋光墊修整器及行業規模、競爭格局等做了相應的介紹。

　　在實際工作中拋光機有多片單面拋光機和多片雙面拋光機兩種。由于化學機械拋光工藝加工效率較低、加工成本較高，在實際作業中通常直徑小于200mm的硅片通常是在研磨片的基礎上對硅片一面進行拋光，在制造工藝上一般采用多片單面拋光機加工，即在一個拋光臺上采用多拋光頭同時拋光，以提高拋光效率、降低拋光成本：

　　200/300mm的硅片采用多片雙面拋光工藝，雙面拋光機是在雙面研磨劑的基礎上，在上、下拋光盤上裝有拋光墊，增加拋光液供給/回收裝置，可同時進行多片拋光：

　　值得注意的是由于后道工藝對300mm硅片加工后的面型精度要求增高，設備體積增大，所以設備制造精度和控制精度相對更高。為了減小硅片裝載、卸載時操作中容易碎片的風險，一些300mm雙面拋光機還集成了硅片自動裝載/卸載單元裝置: