| 產品參數 |
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| 品牌 | 中芯晶研 |
| 批號 | 最新 |
| 封裝 | 單片包裝 |
| 包裝 | 盒裝 |
| 品名 | 氮化鎵外延片 |
| 外延技術 | MOCVD |
| 尺寸 | 2、4、6英寸 |
| 結構 | 可定制生長 |
| 外觀 | 薄膜片 |
| 外延應用 | LED、LD、HEMT器件制備 |
| 數量 | 10 |
| 可售賣地區 | 全國 |
| 可售賣地 | 全國 |
| 型號 | 藍寶石、硅、碳化硅基 | |
作為第三代半導體材料，氮化鎵 (GaN) 具有優越的禁帶寬度（遠高于硅和碳化硅）、熱導率、電子遷移率以及導通電阻。由于高溫下GaN生長過程中N的離解壓力較高，很難獲得大尺寸的GaN單晶材料，所以在異質襯底上制備外延GaN薄膜已經成為研究GaN材料和器件的主要方法。目前，GaN外延生長方法有氫化物氣相外延（HVPE）、分子束外延（MBE）、金屬有機化合物化學氣相沉淀（MOCVD）。目前，大多數商用器件都是基于GaN異質外延的，主要襯底是碳化硅（SiC）、硅（Si）和藍寶石（Sapphire）。
可提供2、4、6英寸硅或碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC/Si) HEMT 外延片，也可提供藍寶石基氮化鎵（GaN on Sapphire）HEMT外延片。
SiC/Si基GaN HEMT典型外延結構
1.GaN on SiC HEMT外延
該外延材料結合了SiC優異的導熱性能和GaN高頻和低損耗性能，所以GaN on SiC 熱導率高，使得器件可以在高電壓和高漏電流下工作，是射頻器件的理想材料。目前，GaN-on-SiC外延片主要應用于5G基站、國防領域射頻前端的功率放大器（PA）。
2.GaN-on-Si?HEMT外延
由于使用Si襯底材料,可在大直徑硅晶圓上外延GaN且具有與傳統Si工藝兼容等優勢,成為功率半導體技術發展的理想選擇。GaN on Si HEMT外延有常開型即耗盡型（D型）和常關型即增強型（E型）兩種。
3.GaN-on-Sapphire HEMT外延
該外延結構具有良好的均勻性、高擊穿電壓、極低的緩沖區泄漏電流、高電子濃度、高電子遷移率和低方塊電阻，用于射頻和功率半導體器件。在藍寶石襯底上生長的 GaN HEMT 可以通過將器件倒裝芯片鍵合到導熱和電絕緣的襯底（例如氮化鋁陶瓷）上來實現熱管理。
GaN on Sapphire HEMT典型外延結構
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