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SiC外延代工服務(wù)：支持4\/6英寸晶圓、科研機(jī)構(gòu)\/企業(yè)定制

$SiC外延代工服務(wù)：支持4\/6英寸晶圓、科研機(jī)構(gòu)\/企業(yè)定制$	價(jià)格：1.00 元(人民幣)	產(chǎn)地：福建廈門
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：福建廈門
	上架時(shí)間：2025-12-06 08:00:04	瀏覽量：40
	廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
	經(jīng)營(yíng)模式：	公司類型：
	所屬行業(yè)：分立半導(dǎo)體	主要客戶：
	在線咨詢

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產(chǎn)品參數(shù)

品牌	中芯晶研
批號(hào)	最新
封裝	單片包裝
包裝	盒裝
品名	碳化硅外延片
晶型	4H
規(guī)格	可定制
生長(zhǎng)方法	CVD
外觀	薄膜片
外延厚度均勻性	≤5
數(shù)量	1
售賣地區(qū)	全國(guó)
起訂量	5
可售賣地	全國(guó)
用途	功率器件制備
型號(hào)	N型、半絕緣型

可供常規(guī)碳化硅（SiC）外延片與定制結(jié)構(gòu)外延片，包括同質(zhì)外延與異質(zhì)外延，用于碳化硅器件的開發(fā)。我們通常使用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法在碳化硅襯底上沉積一層單晶或多層單晶薄膜以形成外延晶片。其中，碳化硅同質(zhì)外延片是通過在導(dǎo)電碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層來制備的，進(jìn)一步制成功率器件。具體可參考下方所列碳化硅外延片規(guī)格，該外延片可用于制備MOS電容器：

1. 碳化硅外延片參數(shù)表

2. 碳化硅外延片的應(yīng)用領(lǐng)域
SiC外延晶片主要用于制造600V~3300V功率器件，包括SBD、JBS、PIN、MOSFET、JFET、BJT、GTO、IGBT等，應(yīng)用于射頻（如：5G通信、雷達(dá)）、新能源汽車、固態(tài)光源等領(lǐng)域。

更多碳化硅外延產(chǎn)品信息或疑問，請(qǐng)郵件咨詢vp@honestgroup.cn

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