| 供應磷化銦（InP）單晶片用于制備LD、HEMT等器件 |
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價格：面議 元(人民幣) | 產地：福建廈門 |
| 最少起訂量：1 | 發貨地：福建廈門 | |
| 上架時間：2025-12-06 07:59:51 | 瀏覽量：39 | |
廈門中芯晶研半導體有限公司
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磷化銦（InP）是由銦和磷組成的二元半導體，與 GaAs 和大多數 III-V 半導體相同，具有閃鋅礦型晶體結構。InP 可以通過白磷和碘化銦在400℃下的反應制備，也可以通過在高溫和高壓下直接組合純化的元素，或通過三烷基銦化合物和膦的混合物的熱分解來制備。可提供2”, 3”, 4”磷化銦晶片，具體參數以2寸的為例： 
    
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