| 三五族半導體N型、P型銻化鎵（GaSb）晶片，單面、雙面拋光 |
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價格：面議 元(人民幣) | 產地：福建廈門 |
| 最少起訂量：1 | 發貨地：福建廈門 | |
| 上架時間：2025-12-06 07:59:44 | 瀏覽量：53 | |
廈門中芯晶研半導體有限公司
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銻化鎵（GaSb）半導體在 III-V族化合物材料中具有較小的帶隙，在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm)，適用于工作在紅外區域的光電器件和波長范圍為 1-5 μm 的電子器件。可提供銻化鎵晶片如下：  2.?銻化鎵材料特性  2.2 GaSb 電氣性能 
 
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