| 產品參數 |
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| 品牌 | 中芯晶研 |
| 批號 | 最新 |
| 封裝 | 單片包裝 |
| 包裝 | 盒裝 |
| 晶體結構 | 纖鋅礦晶體結構 |
| 帶隙 | 3.4eV |
| 有效面積 | >90 |
| 總厚度變化 | ≤15um |
| 彎曲度 | ≤20um |
| 拋光 | 正面：外延級拋光；背面：精磨 |
| 數量 | 10 |
| 可售賣地區 | 全國 |
| 可售賣地 | 全國 |
| 型號 | N型，半絕緣型 | |
可供氫化物氣相外延（HVPE）技術生長導電型與半絕緣型氮化鎵單晶襯底晶片，晶片參數大致如下：
1. 氮化鎵自支撐襯底參數表
2. 氮化鎵
氮化鎵（GaN）屬于III / V族直接帶隙半導體，常用于發光二極管器件制備。該化合物是一種非常堅硬的材料，具有纖鋅礦晶體結構。其3.4 eV的寬帶隙為光電，高功率和高頻器件的應用提供了特殊的性能。
3. 氮化鎵襯底的應用場景
1）GaN襯底可制備發光二極管（LED）與紫外激光二極管（LD）；
2）它對電離輻射的敏感性很低（與其他III族氮化物一樣），使其成為衛星太陽能電池陣列的合適材料。
3）由于設備在輻射環境中表現出穩定性，因此太空應用也可能受益。
4）由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作，并且工作電壓比砷化鎵（GaAs）晶體管高得多，因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。
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