| 銻化鎵（GaSb）單晶III-V族化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)可供襯底與外延片 |
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價(jià)格：面議 元(人民幣) | 產(chǎn)地：福建廈門 |
| 最少起訂量：1 | 發(fā)貨地：福建廈門 | |
| 上架時(shí)間：2025-12-06 07:59:19 | 瀏覽量：11 | |
廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
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銻化鎵（GaSb）單晶屬于III-V族化合物材料，具有較小的帶隙，在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm)。該材料適用于工作在紅外區(qū)域的光電器件和波長(zhǎng)范圍為 1-5 μm 的電子器件？商峁╀R化鎵晶片，參數(shù)如下僅供參考：  2.?GaSb單晶特性 
 
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