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納米光觸媒凈化器納米光催化反應(yīng)是因光子照射納米鈦后引起的。它又被稱為光固體表面反應(yīng)、光固體接口反應(yīng)。納米鈦吸收光氫離子發(fā)生管照射出的光子后，氧化鈦內(nèi)部生成電子與空穴，擴散到表面的電子與空穴能參與光催化反應(yīng)，納米鈦表面能獲得越多的電子與空穴，反應(yīng)的效果越好。經(jīng)研究，納米鈦顆粒尺寸與光催化活性有著密切的關(guān)系，納米鈦表面催化劑粒子顆粒較小時體系的比表面積較大，有利于光催化反應(yīng)在催化劑表面進行。當(dāng)納米鈦晶粒尺寸由30納米減小到10納米時，其光催化的活性提高了近45以上，

光氫離子凈化模塊納米鈦表面的晶粒一般控制在10~15納米之間，這樣使得反應(yīng)活性變得很強，因而光催化反應(yīng)會頻頻不斷發(fā)生。納米鈦晶粒越小而其比表面積越大，比表面積越大，其受光面就越大，形成的電子空穴對越多，所以表現(xiàn)出的光催化效率越高。形成的空穴，光氫離子凈化段產(chǎn)生出強力氧化能力，與納米鈦表面起氧化反應(yīng)后，生成氫氧自由基等多種強氧化性物質(zhì)。
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氫氧自由基擁有很高的氧化能力，能與有機化合物起氧化反應(yīng)，在有氧氣的情況下，以上公式的反應(yīng)過程為：有機化合物中間體的原子團與氧氣分子產(chǎn)生原子團連鎖反應(yīng)，氧氣被耗費，最終有機化合物被分解，變成二氧化碳和水。