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碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是一種共價(jià)鍵晶體，有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結(jié)晶形式。SiC晶體存在各種多型體（多晶型體），它們的物理特性值各有不同。其中，只有4H-SiC和6H-SiC的六方結(jié)構(gòu)和3C-SiC的立方結(jié)構(gòu)可以用于商業(yè)用途，且4H-SiC最適用于功率元器件。可提供不同尺寸厚度、不同質(zhì)量等級、不同類型的半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底。根據(jù)導(dǎo)電類型，碳化硅襯底類型主要分為導(dǎo)電N型、P型和半絕緣型。以下列舉6英寸N型與半絕緣型碳化硅襯底參數(shù)僅供參考：

1. 碳化硅襯底規(guī)格
1.1 6英寸導(dǎo)電N型4H-SiC襯底規(guī)格

1.2 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規(guī)格

2. 碳化硅半導(dǎo)體材料特性
碳化硅晶片具有優(yōu)異的熱力學(xué)和電化學(xué)性能，具體參數(shù)如下表：

3. 碳化硅襯底片應(yīng)用
導(dǎo)電N型碳化硅襯底主要用于碳化硅外延，制成碳化硅二極管、MOSFET等功率器件，應(yīng)用在高溫高壓環(huán)境中，應(yīng)用于新能源汽車、歸到交通、智能電網(wǎng)、航天航空等領(lǐng)域。
P型碳化硅襯底電子相對空穴具有較高的遷移率，并且能夠獲取更低的導(dǎo)通壓降，所以該類型襯底主要用于制備功率器件，特別是絕緣器件柵極雙極晶體管 (IGBT)。
而半絕緣碳化硅襯底主要用于氮化鎵（GaN）外延，制成HEMT等微波器件，用于高溫高頻環(huán)境，5G通信、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域。

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