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高效能高穩(wěn)定性SiC外延片，適用于高頻、高溫環(huán)境，推動(dòng)綠色能源發(fā)展

	價(jià)格：1.00 元(人民幣)	產(chǎn)地：福建廈門
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：福建廈門
	上架時(shí)間：2025-03-27 19:16:25	瀏覽量：31
	廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
	經(jīng)營模式：	公司類型：
	所屬行業(yè)：分立半導(dǎo)體	主要客戶：
	在線咨詢

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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品參數(shù)
品牌	中芯晶研
批號(hào)	最新
封裝	單片包裝
包裝	盒裝
品名	碳化硅外延片
晶型	4H
規(guī)格	可定制
生長方法	CVD
外觀	薄膜片
外延厚度均勻性	≤5
數(shù)量	5
售賣地區(qū)	全國
可售賣地	全國
用途	功率器件制備
等級(jí)	研究級(jí)、工業(yè)級(jí)
型號(hào)	N型、半絕緣型襯底

可供定制化SiC外延片，包括同質(zhì)外延與異質(zhì)外延，用于碳化硅器件的開發(fā)。我們通常使用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法在碳化硅襯底上沉積一層單晶或多層單晶薄膜以形成外延晶片。其中，碳化硅同質(zhì)外延片是通過在導(dǎo)電碳化硅襯底上生長碳化硅外延層來制備的，進(jìn)一步制成功率器件。具體以MOS級(jí)碳化硅外延片規(guī)格為例：

1. 碳化硅外延片參數(shù)表

2. 為什么我們需要碳化硅基底外延片？
外延是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)流程中的一個(gè)重要過程。由于器件不能直接在碳化硅單晶材料上制造，且?guī)缀跏峭ㄟ^外延生長獲得的，碳化硅外延片的質(zhì)量將對(duì)器件的性能產(chǎn)生很大影響。此外，外延層處于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的中間位置，這在很大程度上受到晶體和襯底工藝的影響。總之，碳化硅外延工藝在器件的制備中起著重要作用。

3. 碳化硅外延片的應(yīng)用領(lǐng)域
SiC外延晶片主要用于制造600V~3300V功率器件，包括SBD、JBS、PIN、MOSFET、JFET、BJT、GTO、IGBT等，應(yīng)用于射頻（如：5G通信、雷達(dá)）、新能源汽車、固態(tài)光源等領(lǐng)域。

更多碳化硅外延產(chǎn)品信息或疑問，請(qǐng)郵件咨詢vp@honestgroup.cn

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