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銻化鎵（GaSb）半導體在 III-V族化合物材料中具有較小的帶隙，在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm)，適用于工作在紅外區域的光電器件和波長范圍為 1-5 μm 的電子器件。可提供銻化鎵晶片如下：

1. 銻化鎵單晶片

2.?銻化鎵材料特性
2.1 GaSb 化學性質

2.2 GaSb 電氣性能

2.3 GaSb 熱學、機械和光學性能

3. 銻化鎵晶片應用
GaSb晶片可用于紅外探測器、紅外LED、激光器和晶體管以及熱光電系統。

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