| 4英寸熱氧化工藝單晶硅片，氧化硅片襯底晶圓，氧化層厚度定制 |
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價(jià)格：200.00 元(人民幣) | 產(chǎn)地：江蘇無錫 |
| 最少起訂量：1 | 發(fā)貨地：江蘇無錫 | |
| 上架時(shí)間：2024-10-29 01:45:57 | 瀏覽量：14 | |
江陰皓睿光電新材料有限公司
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  .jpg) 單晶硅片規(guī)格書  硅材料是目前主要的元素半導(dǎo)體材料，用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池等領(lǐng)域，是電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料。熱氧化是硅平面技術(shù)中一項(xiàng)重要的工藝，硅與含有氧化物質(zhì)的氣體，如水汽和氧氣在高溫下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在硅片表面產(chǎn)生一層致密的二氧化硅(SiO2)絕緣薄膜，具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)，在集成電路制造中有廣泛的應(yīng)用。    
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